[发明专利]调整双极性结型晶体管像素的方法和相关影像传感器装置

说明书

本发明公开了一种调整影像传感器装置的像素数组的双极性结型晶体管像素的方法以及相关的影像感测装置，所述方法包括：获取由所述双极性结型晶体管像素所感测的第一影像的表面质量信号与对应于所述第一影像的快门开启时间中的至少一者；以及根据所述第一影像的所述表面品质信号与对应于所述第一影像的所述快门开启时间中的所述至少一者来自适应地调整所述双极性结型晶体管像素的用于感测第二影像的预闪光时间；其中所述第二影像在时间上落后于所述第一影像。本发明的方法和装置可对双极性结型晶体管像素的预闪光时间进行实时以及自适应调整，以尽可能地减少发光电路的开启时间，进而整体地改善发光电路的电池寿命。

技术领域

本发明关于一种影像感测架构，尤其关于一种应用于影像传感器装置的像素数组的双极性结型晶体管像素的方法以及相关的影像传感器装置。

背景技术

一般来说，现有的技术方案可能会为图像传感器装置的像素数组(pixel array)的双极性结型晶体管(bipolar-junction-transistor,BJT)像素设置固定且够长的预闪光时间(pre-flash time)，以确保被使用为光学导航(optical navigation)装置的影像传感器装置能够操作于各种工作表面并且在追踪上有好的表现。举例来说，上述固定且够长的预闪光时间可以被设置为180微秒(microseconds)。预闪光时间表示是指从发光单元被开启的时间点至双极性结型晶体管像素进入稳定β状态(stable beta condition)的时间点的这段期间。上述固定且够长的预闪光时间会占有大部分的所述发光单元的总开启时间，这表示所述发光单元的总开启时间也必须被设置为够长，但这会导致所述影像传感器装置无可避免地有更多的功率损耗。

发明内容

因此本发明的目的之一在于公开一种应用于影像传感器装置的像素数组的双极性结型晶体管像素的方法以及相关的影像传感器装置，以解决上述问题。

本发明的一实施例公开了一种调整影像传感器装置的像素数组的双极性结型晶体管像素的方法，包括：获取由所述双极性结型晶体管像素所感测的第一影像的表面质量信号与对应于所述第一影像的快门开启时间中的至少一者；以及根据所述第一影像的所述表面质量信号与对应于所述第一影像的所述快门开启时间中的所述至少一者来自适应地调整所述双极性结型晶体管像素的用于感测第二影像的预闪光时间；其中所述第二影像在时间上落后于所述第一影像。

本发明的另一实施例公开了一种影像感测装置，其特征在于，包括像素数组以及处理器。所述像素数组具有能够至少感测第一影像的至少一双极性结型晶体管像素；所述处理器耦接于所述像素数组，且所述处理器用于进行以下操作：获取由所述双极性结型晶体管像素感测的所述第一影像的表面质量信号与对应于所述第一影像的快门开启时间中的至少一者；以及根据所述第一影像所述表面质量信号与对应于所述第一影像的所述快门开启时间中的所述至少一者来自适应地调整所述双极性结型晶体管像素的用于感测第二影像的预闪光时间；其中所述第二影像在时间上落后于所述第一影像。

本发明的实施例中的方法以及装置可对双极性结型晶体管像素的预闪光时间进行实时(on-the-fly)以及自适应的(adaptive)调整，以尽可能地减少发光电路的开启时间，进而整体地改善发光电路的电池寿命(若发光电路是通过电池供电)。

附图说明

图1是根据本发明实施例的用于调整具有包括双极性结型晶体管像素的像素数组的影像感测装置的预闪光时间的方法的流程图；

图2是根据图1的流程图的影像感测装置的一实施例的方块图；

图3是图2的双极性结型晶体管像素的范例的示意图；

图4是自适应调整后的预闪光时间以及用于图2的双极性结型晶体管像素的快门(shutter)开启时间的范例的示意图；

图5是表面质量信号的强度值与预闪光时间的长度之间的关系的范例的示意图。