[发明专利]沉钒废水中钒和锰的回收方法在审
申请号: | 201711084059.3 | 申请日: | 2017-11-07 |
公开(公告)号: | CN107620090A | 公开(公告)日: | 2018-01-23 |
发明(设计)人: | 陈燕;申彪;叶露;何文艺 | 申请(专利权)人: | 攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司 |
主分类号: | C25C1/10 | 分类号: | C25C1/10;C25C7/02;C22B7/00;C22B34/22 |
代理公司: | 成都虹桥专利事务所(普通合伙)51124 | 代理人: | 梁鑫 |
地址: | 617000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 沉钒废 水中 回收 方法 | ||
技术领域
本发明涉及沉钒废水中钒和锰的回收方法,属于冶金化工技术领域。
背景技术
在氧化钒生产中,转炉钒渣经破碎、球磨后配入一定量的钠盐或钙盐,进入回转窑或多膛焙烧炉进行焙烧,将钒渣中的低价钒氧化为可溶于水的五价钒,经浸出、沉淀、干燥、还原等工序得到氧化钒产品。其中,在浸出工序,原料钒渣中的锰会随着钒共同进入到溶液中,其中的钒浓度约为25~35g/L、锰浓度约为10~20g/L。在沉淀工序,99%的钒以多钒酸铵沉淀形式富集,而99%以上的锰及约1%的钒则留在沉淀废水中。由于锰浓度较高,沉钒废水的循环使用比较困难。目前有报道采用中和法将废水中锰离子浓度降低到5g/L以下,以保证废水的循环利用,实现废水零排放。该水处理法设备与工艺成熟、操作方便简单,但存在废水处理渣量大、钒和锰资源未得到有效回收等问题。
针对钙化焙烧工艺产生的沉钒废水,专利CN102838233A采用石灰乳调节酸性沉钒废水至碱性,然后进行固液分离,得到碱性溶液和石膏渣;向碱性溶液中加入脱钙剂进行脱钙,然后进行固液分离,得到上层清液和脱钙渣;用硫酸将上层清液的pH值调节至3~7后返回浸出工序进行循环利用。该方法实现了废水的循环利用,能够有效控制了返回浸出工序的溶液中的钙离子浓度,避免硫酸钙沉淀的形成,但废水中大量的锰资源没有得到有效回收,矿石利用率低。
针对钠化焙烧工艺产生的沉钒废水:专利CN102051486A将沉钒废水作为含钒熟料的浸取剂,利用其所含铵根离子和磷酸根离子与镁离子形成络合沉淀物,再加入除磷剂进行深度除磷,从而制取低磷钒液,实现了沉钒废水的再利用;专利CN101812593A将酸性废水用于提钒尾渣的清洗后再进行还原、中和、蒸发浓缩,以减少废水处理工序中中和所用的碱量。
然而,目前尚未见对沉钒废水中的钒和锰资源进行回收利用的报道。
发明内容
本发明的目的在于提供沉钒废水中钒和锰的回收方法。
本发明提供了沉钒废水中钒的回收方法,包括如下步骤:将沉钒废水置于电镀槽中,通入直流电,将+5价V还原为+4价V,调节pH至6.0~7.0,固液分离,即得含钒渣;所述沉钒废水中含有+2价Mn。
进一步地,调节pH至7.0。
进一步地,调节pH时搅拌10~30min。
进一步地,所述电镀槽的阳极材料为铁、碳或铅银合金。
进一步地,所述电镀槽的阴极选用导电材料即可,如不锈钢。
进一步地,所述直流电的电压为2~4V;优选为4V。
进一步地,所述直流电的通电时间为10~30min;优选为30min。
进一步地,采用氨水或氧化钙调节pH。
进一步地,所述沉钒废水是生产氧化钒产生的。
进一步地,所述沉钒废水是由钒渣钠化焙烧—水浸提钒工艺或钒渣钙化焙烧—酸浸提钒工艺产生的。
本发明提供了沉钒废水中锰的回收方法,包括如下步骤:根据所述方法回收钒;向固液分离得到的液体中添加二氧化硒,电解,即得锰单质。
进一步地,所述二氧化硒的加入量为0.01~0.02g/L。
进一步地,所述电解的电流密度为180~280A/m2。
进一步地,所述电解温度为20~30℃。
进一步地,阳极材料为铅银合金。
进一步地,阴极材料为不锈钢。
本发明提供了一种有效回收沉钒废水中钒、锰资源的途径,具有以下优点:
(1)将沉钒废水中的锰资源以高纯度单质锰的形式回收(纯度达到99%以上),沉钒废水中的钒则形成含钒渣,可返回主工艺焙烧中,同样实现了回收利用;
(2)回收钒、锰资源后的溶液可用于钙化熟料酸性浸出中,实现了废水的循环利用。
附图说明
图1为实施例中回收沉钒废水中钒和锰的工艺流程图。
具体实施方式
本发明具体实施方式中使用的原料、设备均为已知产品,通过购买市售产品获得。
本发明提供了沉钒废水中钒的回收方法,该方法包括如下步骤:将沉钒废水置于电镀槽中,通入直流电,将+5价V还原为+4价V,调节pH至6.0~7.0,固液分离,即得含钒渣。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司,未经攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711084059.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种LED的封装工艺及离心沉淀装置
- 下一篇:封装支架和封装支架制备方法