[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在衬底的第一区域上的第一绝缘夹层和在所述衬底的第二区域上的第二绝缘夹层；

在所述第一绝缘夹层上的多个第一布线结构，所述多个第一布线结构彼此间隔开；

多个第二布线结构，分别填充所述第二绝缘夹层上的多个沟槽；

绝缘覆盖结构，选择性地在所述多个第一布线结构之间的所述第一绝缘夹层的表面上以及在所述多个第一布线结构的每个的侧壁和上表面上，所述绝缘覆盖结构包括绝缘材料；

第三绝缘夹层，在所述多个第一布线结构和所述多个第二布线结构上；以及

空气间隙，在所述多个第一布线结构之间在所述第三绝缘夹层下面，

其中所述绝缘覆盖结构包括第二覆盖图案和第三覆盖图案，所述第二覆盖图案在所述多个第一布线结构之间的所述第一绝缘夹层的所述表面上，所述第三覆盖图案在所述多个第一布线结构的每个的所述侧壁和所述上表面上。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘覆盖结构包括铝合金。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二覆盖图案包括氧以及包括在所述第三覆盖图案中的材料。

4.如权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述多个第二布线结构上的包括导电材料的第一覆盖图案。

5.如权利要求1所述的半导体器件，还包括覆盖所述第二绝缘夹层和所述多个第二布线结构的第一覆盖掩模。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一覆盖掩模包括SiOC、SiN或SiOCN。

7.如权利要求5所述的半导体器件，还包括在所述绝缘覆盖结构和所述第一覆盖掩模上的衬垫层。

8.如权利要求5所述的半导体器件，还包括延伸穿过所述第三绝缘夹层和所述第一覆盖掩模的接触插塞，所述接触插塞与所述第二布线结构电连接。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个第一布线结构和所述多个第二布线结构的上表面以及所述第二绝缘夹层的上表面彼此共平面。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个第一布线结构和所述多个第二布线结构的每个包括阻挡图案和包含铜的金属图案。

11.如权利要求10所述的半导体器件，还包括在所述多个第一布线结构和所述多个第二布线结构的每个上的包含锰的上覆盖图案。

12.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在所述第三绝缘夹层上的第四绝缘夹层；以及

多个第三布线结构，分别在所述第四绝缘夹层中的多个沟槽中。

13.如权利要求12所述的半导体器件，还包括覆盖所述第四绝缘夹层和所述多个第三布线结构的第二覆盖掩模层。

14.如权利要求12所述的半导体器件，还包括在所述第四绝缘夹层上的多个第四布线结构，其中所述多个第四布线结构的每个在其相反两侧的每个处具有上空气间隙。