[发明专利]Mo-Se-Ta+TiAlTaN软硬复合涂层刀具及其制备方法

权利要求书

1.一种Mo-Se-Ta+TiAlTaN软硬复合涂层刀具的制备方法，所述复合涂层刀具包括刀具基体材料(1)，所述基体材料为高速钢或硬质合金，所述基体材料表面从内到外依次涂有Ti过渡层(2)、TiN过渡层(3)、TiAlTaN硬涂层(4)、Zr过渡层(5)和Mo-Se-Ta软涂层(6)，其特征在于，采用多弧离子镀和中频磁控溅射方式，包括以下步骤：

(1)前处理：将刀具基体材料研磨抛光至镜面，依次放入酒精和丙酮中超声清洗各20-30min，去除表面油渍污染物，采用真空干燥箱充分干燥后迅速放入镀膜机真空室，真空室本底真空为7.0×10^-3Pa，加热至200-250℃，保温30-40min；

(2)离子清洗：通入工作气体Ar₂，其压力为0.5-1.5Pa，开启偏压电源，电压700-900V，占空比0.2，辉光放电清洗20-30min；偏压降低至300-600V，开启离子源离子清洗20-30min，开启电弧源Ti靶，偏压500-600V，靶电流40-70A，离子轰击Ti靶1-2min；

(3)沉积Ti过渡层：调整Ar₂气压至0.4-0.6Pa，偏压降低至100-300V，电弧镀沉积2-5min；

(4)沉积TiN过渡层：调整工作气压为0.5-0.6Pa，偏压80-150V，Ti靶电流90-110A；开启N₂，调整N₂流量为150-300sccm，沉积温度为220-260℃，沉积2-10min；

(5)沉积TiAlTaN硬涂层：开启中频Al靶电弧电源，电流调至60-90A，开启Ta靶电源，电流调制40-60A，电弧镀+中频磁控溅射沉积40-60min；

(6)沉积Zr过渡层：关闭Ti靶、Al靶、Ta靶、N₂源，调整Ar₂气压至0.4-0.6Pa，开启Zr靶，电流调至40-70A，电弧镀沉积3-5min；

(7)沉积Mo-Se-Ta软涂层：关闭Zr靶，偏压调至100-200V，开启MoSe₂靶和Ta靶，MoSe₂靶电流调至2-4A，Ta靶调至20-40A，沉积80-120min；

(8)后处理：关闭MoSe₂靶和Ta靶，关闭偏压电源及气体源，保温30-60min，涂层结束，得到所述Mo-Se-Ta+TiAlTaN软硬复合涂层刀具。