[发明专利]半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，包括：

提供基底，所述基底具有存储器区与周边区，其中所述存储器区中的所述基底上具有第一介电层，且所述周边区中的所述基底上具有第二介电层；

在所述第一介电层上形成多个第一栅极结构以及在所述第二介电层上形成至少一第二栅极结构；

在所述基底上形成第三介电层，所述第三介电层覆盖所述基底、所述第一介电层、所述第一栅极结构、所述第二介电层与所述第二栅极结构；

移除所述第一栅极结构两侧的所述基底上的所述第一介电层与所述第三介电层；

移除剩余的所述第三介电层与其下方的部分所述第一介电层；

形成第四介电层，以覆盖所述第二栅极结构的侧壁、所述存储器区中的基底、所述第一介电层以及所述第一栅极结构；

形成第五介电层，以覆盖所述周边区的所述基底与所述第二栅极结构；以及

移除所述存储器区中的所述基底上的所述第四介电层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中所述第一介电层、所述第二介电层、所述第三介电层与所述第五介电层各自包括氧化物层。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中所述第四介电层包括氮化物层。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中在形成所述第三介电层之后以及在移除所述存储器区中的所述基底上的所述第一介电层与所述第三介电层之前还包括在所述周边区的所述基底上形成罩幕层，移除所述存储器区中的所述基底上的所述第一介电层与所述第三介电层的方法包括进行非等向性蚀刻制程，且在移除所述存储器区中的所述基底上的所述第一介电层与所述第三介电层之后以及在移除剩余的所述第三介电层与部分所述第一介电层之前还包括移除所述罩幕层。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其中移除剩余的所述第三介电层与部分所述第一介电层的方法包括进行等向性蚀刻制程。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中形成所述第四介电层的方法包括：

在所述基底上共形地形成介电材料层；

在所述存储器区中的所述基底上形成罩幕层；

进行非等向性蚀刻制程，移除部分所述介电材料层；以及

移除所述罩幕层。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中形成所述第五介电层的方法包括：

在所述基底上形成介电材料层，其中所述介电材料层覆盖所述存储器区中的所述第四介电层并填满所述第一栅极结构之间的空间以及共形地形成于所述周边区中的所述基底上；

在所述周边区中的所述基底上形成罩幕层；以及

进行等向性蚀刻制程，移除所述存储器区中的所述介电材料层，

且其中移除所述存储器区中的所述基底上的所述第四介电层的方法包括：

进行非等向性蚀刻制程，移除所述第一栅极结构的顶面上以及所述第一栅极结构两侧的所述基底上的所述第四介电层；以及

移除所述罩幕层。