[发明专利]背照式互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种背照式互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于，包括：

半导体基底，所述半导体基底包括用于接收入射光的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；和

反射器，设置在所述半导体基底的第二侧，

其中，所述反射器被构造成将穿过所述半导体基底的入射光反射回到所述半导体基底中。

2.根据权利要求1所述的背照式互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于，所述反射器由导电材料制成并且被电接地。

3.根据权利要求2所述的背照式互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于，所述导电材料为金属。

4.根据权利要求3所述的背照式互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于，所述金属包括铜、钨、铝、银、金中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的背照式互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于，背照式互补金属氧化物半导体图像传感器还包括：

多个布线层，设置在所述半导体基底的第二侧，

其中所述反射器设置在所述多个布线层中最接近所述半导体基底的布线层中。

6.根据权利要求1所述的背照式互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于，所述背照式互补金属氧化物半导体图像传感器还包括：

红色滤光片，设置在所述半导体基底的第一侧，

其中所述反射器被设置成仅反射穿过所述红色滤光片的入射光。

7.根据权利要求1所述的背照式互补金属氧化物半导体图像传感器，其特征在于，所述背照式互补金属氧化物半导体图像传感器还包括：

红色滤光片和绿色滤光片，所述红色滤光片和所述绿色滤光片设置在所述半导体基底的第一侧，

其中所述反射器被设置成仅反射穿过所述红色滤光片和所述绿色滤光片的入射光。

8.一种制造背照式互补金属氧化物半导体图像传感器的方法，其特征在于，该方法包括：

提供半导体基底，所述半导体基底包括用于接收入射光的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；和

在所述半导体基底的第二侧形成反射器，

其中，所述反射器被构造成将透射穿过所述半导体基底的入射光反射回到所述半导体基底中。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：

使用导电材料形成所述反射器并且使所述反射器电接地。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述导电材料为金属。