[发明专利]一种石墨炔诱导交联富勒烯面内取向作为电子传输层的钙钛矿型太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201711079624.7 | 申请日: | 2017-11-06 |
公开(公告)号: | CN107732015B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 廖良生;王照奎;李萌 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 32200 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石墨 诱导 交联 富勒烯面内 取向 作为 电子 传输 钙钛矿型 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种石墨炔诱导交联富勒烯面内取向作为电子传输层的钙钛矿型太阳能电池的制备方法,其特征在于制备步骤如下:
(1)将甲基碘化铵、碘化铅溶于体积比为7:3的γ-丁内酯和二甲基亚砜混合溶剂中制成40wt%的钙钛矿溶液;
(2)将高导电二维材料石墨炔与化合物PCBSD溶解分散在氯苯中,其溶液采用旋涂、喷墨打印或卷对卷方法加工在衬底基片上,再在80-140℃退火,形成固化的阴极修饰层;
所述化合物PCBSD的结构式为:
;
(3)将(1)中得到的钙钛矿γ-丁内酯和二甲基亚砜溶液采用旋涂、喷墨打印或卷对卷方法加工到(2)中得到的阴极修饰层上,再在100℃下退火10分钟,得到均匀固化的感光层;
(4)将2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴采用旋涂、喷墨打印或卷对卷方法加工到(3)中得到的固化感光层上,得到均匀的阳极空穴传输层;
(5)在(4)中得到的阳极空穴传输层上采用蒸镀或者喷墨打印方法加工阳极电极,即制得多功能二维材料石墨炔与交联富勒烯作为界面修饰的钙钛矿型太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的一种石墨炔诱导交联富勒烯面内取向作为电子传输层的钙钛矿型太阳能电池的制备方法,其特征在于:在所述步骤(2)之前首先将二氧化钛前驱液旋涂在衬底基片上,退火后固化在衬底基片上;所述衬底基片为硬性或柔性的ITO、FTO导电薄膜基片。
3.根据权利要求2所述的一种石墨炔诱导交联富勒烯面内取向作为电子传输层的钙钛矿型太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中二氧化钛前驱液在转速为4000rpm下旋转40s旋涂在FTO玻璃基底上,再在500℃退火,形成厚度为45nm的二氧化钛固化层。
4.根据权利要求1所述的一种石墨炔诱导交联富勒烯面内取向作为电子传输层的钙钛矿型太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中阴极修饰层的厚度为20-60nm。
5.根据权利要求4所述的一种石墨炔诱导交联富勒烯面内取向作为电子传输层的钙钛矿型太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中阴极修饰层的厚度为45nm。
6.根据权利要求1所述的一种石墨炔诱导交联富勒烯面内取向作为电子传输层的钙钛矿型太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述步骤(5)中的阳极电极为Ag、Al或Au,电极厚度为60-100nm。
7.根据权利要求6所述的一种石墨炔诱导交联富勒烯面内取向作为电子传输层的钙钛矿型太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述步骤(5)中的阳极电极为Ag,电极厚度为100nm。
8.根据权利要求1所述的一种石墨炔诱导交联富勒烯面内取向作为电子传输层的钙钛矿型太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述的步骤(3)中固化感光层的厚度为200-300nm。
9.权利要求1-8任一项所述制备方法制得的钙钛矿型太阳能电池。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州大学,未经苏州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711079624.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择