[发明专利]一种集成波导结构及其制备方法

权利要求书

1.一种集成波导结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

步骤1)提供一衬底，并对所述衬底进行刻蚀，以形成复数个盲孔；

步骤2)于所述盲孔表面形成一覆盖层；

步骤3)于所述衬底及所述覆盖层表面形成至少一组第一金属叠层，并于所述衬底及所述第一金属叠层表面形成一钝化层；其中，沿所述盲孔侧壁表面向所述盲孔中心方向延伸形成包括依次堆叠的所述覆盖层、第一金属叠层及钝化层；

步骤4)去除至少一组第一金属叠层上表面的钝化层，以形成焊盘；

步骤5)对所述衬底进行背面减薄，直至去除盲孔底部的钝化层；

步骤6)于所述衬底背面形成第二金属叠层，其中，所述第二金属叠层与所述第一金属叠层电接触。

2.根据权利要求1所述的集成波导结构的制备方法，其特征在于，步骤1)中采用深反应离子刻蚀工艺形成所述盲孔；其中，刻蚀气体包括SiCl₄、Cl₂、或BCl₃，刻蚀气体的流量为100sccm～2000sccm，反应腔室的压力为40mTorr～120mTorr，源功率为1500W～3000W，偏置功率以脉冲方式输出，且大于300W。

3.根据权利要求1所述的集成波导结构的制备方法，其特征在于，所述盲孔的深宽比小于4，且相邻所述盲孔的距离为50um～150um。

4.根据权利要求1所述的集成波导结构的制备方法，其特征在于，步骤2)中形成所述覆盖层的方法包括：

步骤2.1)采用化学气相沉积工艺于所述衬底上表面及所述盲孔表面形成一覆盖层；

步骤2.2)采用化学机械研磨工艺去除所述衬底上表面的覆盖层，以保留所述盲孔表面的覆盖层。

5.根据权利要求1所述的集成波导结构的制备方法，其特征在于，步骤3)中形成所述第一金属叠层的方法包括：

步骤3.1)于所述衬底上表面涂覆一层光刻胶，并对所述光刻胶进行刻蚀，形成图形化窗口，以暴露部分所述衬底；

步骤3.2)采用等离子体处理工艺对所述衬底进行表面处理；

步骤3.3)采用蒸镀工艺于所述衬底上表面及所述覆盖层表面形成至少一组第一金属叠层；

步骤3.4)采用金属剥离工艺去除所述衬底上表面的光刻胶及第一金属叠层。

6.根据权利要求5所述的集成波导结构的制备方法，其特征在于，步骤3.1)中所述光刻胶为负胶或反转胶；所述图形化窗口的截面形状为梯形。

7.根据权利要求5所述的集成波导结构的制备方法，其特征在于，步骤3.2)采用O₂等离子体处理工艺对所述衬底进行表面处理，其中，O₂的气体流量为500mTorr～1500mTorr，处理腔室的压力为300mTorr～1000mTorr，源功率为800W～1500W。

8.根据权利要求5所述的集成波导结构的制备方法，其特征在于，步骤3.3)中蒸镀工艺反应腔室的真空度为10^-6Pa～10^-5Pa，反应温度为100℃～200℃，金属沉积率为60nm/min～300nm/min。

9.根据权利要求5所述的集成波导结构的制备方法，其特征在于，步骤3.4)中采用99％的N-甲基吡咯烷酮浸泡去除所述光刻胶及所述第一金属叠层。

10.根据权利要求1所述的集成波导结构的制备方法，其特征在于，步骤3)中采用高温生长工艺形成所述钝化层。

11.根据权利要求1所述的集成波导结构的制备方法，其特征在于，所述第一金属叠层从下至上依次包括Ti层，Ni层，及Ag层；所述第二金属叠层从上至下依次包括Ti层，Ni层，及Ag层。