[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

一种半导体装置的制造方法，包括形成间隔层于半导体鳍片之上，此半导体鳍片突出于基板上，当此间隔层覆盖半导体鳍片的源极/漏极区域时，使用第一掺质掺杂此间隔层及在掺杂之后进行热退火工艺。

技术领域

本公开实施例涉及半导体集成电路，特别涉及鳍式场效晶体管的形成方 法。

背景技术

半导体工业由于各种电子部件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器 等)的积集度持续演进而经历快速成长。一般来说，积集度的演进来自最小特 征尺寸的不断缩小，其允许在一给定面积内整合更多的部件。

各特征尺寸随着晶体管尺寸缩小而缩小。举例来说，在鳍式场效晶体管 (FinField-Effect Transistor,FinFET)装置中，相邻鳍片之间的节距(pitch)(例 如，距离)变得很小以致于在注入掺质期间，相邻鳍片间的微小节距限制了注 入的角度，其可能导致鳍式场效晶体管装置的鳍片中的掺质分布不均匀。此 技术领域中需要能够配合此些先进工艺科技中的微小特征尺寸的工艺方法。

发明内容

在一些实施例中，本公开的方法包括形成间隔层于半导体鳍片之上，此 半导体鳍片突出于基板上，当此间隔层覆盖半导体鳍片的源极/漏极区域时， 使用第一掺质掺杂此间隔层及在掺杂之后进行热退火工艺。

在一些其他的实施例中，本公开的方法包括形成第一鳍片于半导体装置 的第一区域中且形成一第二鳍片于半导体装置的第二区域中、形成一间隔层 于第一鳍片及第二鳍片之上且形成一第一掩模层于第二区域中的间隔层之 上，此第一掩模层覆盖第二鳍片，且第一鳍片与第一掩模层隔开。此方法亦 包括在形成第一掩模层之后，注入具有第一掺杂型态的一第一掺质至位于第 一鳍片之上的第一间隔层中，其中在注入第一掺质期间，此间隔层覆盖第一 鳍片的源极/漏极区域。此方法还包括在注入第一掺质之后，去除第一掩模层， 且进行一第一退火工艺。

在其他实施例中，本公开的方法包括形成一第一鳍片，此第一鳍片突出 于半导体装置的第一区域的基板上、形成一第二鳍片，此第二鳍片突出于半 导体装置的第二区域的基板上、沉积一间隔层于第一鳍片及第二鳍片之上且 使用光致抗蚀剂覆盖第二区域中的间隔层，其中此光致抗蚀剂露出位于第一 区域中的间隔层。此方法亦包括使用包括砷及氙的一气体进行一等离子体工 艺，其中第二区域中的间隔层通过此光致抗蚀剂屏蔽于此等离子体工艺，且 第一鳍片的源极/漏极区域通过此间隔层屏蔽于此等离子体工艺，其中此等离 子体工艺注入砷于此间隔层中。此方法还包括在进行等离子体工艺之后，使 用过氧化氢硫酸混合物溶液去除光致抗蚀剂，且在去除光致抗蚀剂之后，于 包括氧气及氮气的一周围环境中进行一退火工艺以将被注入的砷自间隔层 驱入第一鳍片的源极/漏极区域中。

附图说明

为了更全面的了解本公开及其中的优点，以下将配合所附附图详述本公 开实施例，其中：

图1是鳍式场效晶体管的三维视图。

图2-图14是根据一些实施例绘示出形成鳍式场效晶体管装置的工艺的 各阶段剖面图。

图15是根据一些实施例绘示的半导体装置的形成方法的工艺流程图。

具体实施方式

以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例，以展示本公开的不同特 征。以下将公开本说明书各部件及其排列方式的特定范例，用以简化本公开 叙述。当然，这些特定范例并非用于限定本公开。例如，若是本说明书以下 的发明内容叙述了将形成第一结构于第二结构之上或上方，即表示其包括了 所形成的第一及第二结构是直接接触的实施例，亦包括了尚可将附加的结构 形成于上述第一及第二结构之间，则第一及第二结构为未直接接触的实施 例。此外，本公开说明中的各式范例可能使用重复的参照符号及/或用字。这些重复符号或用字的目的在于简化与清晰，并非用以限定各式实施例及/或所 述外观结构之间的关系。