[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201711078222.5 | 申请日： | 2017-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN108447839B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 林柏均;朱金龙 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接合 半导体装置 半导体元件 融熔 热膨胀系数 介电部 传导 高热膨胀系数 热处理 电性功能 膨胀空间 体积膨胀 凹部 制程 制造 容纳 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，包括：
形成一第一半导体元件，具有一第一传导部、与该第一传导部相邻的一第一介电部、以及位于该第一传导部的一上表面上方的一凹部；
形成一第二半导体元件，具有一第二传导部以及与该第二传导部相邻的一第二介电部；
配置该第一半导体元件与该第二半导体元件，使得该第一传导部面对该第二传导部；以及
膨胀该第一传导部与该第二传导部至少其中之一，以填充该凹部；
其中形成该第一半导体元件包括：
形成一第一介电层于一半导体基板上方；
形成一开口于该第一介电层中；和
形成该第一传导部于该开口中；
其中形成该第一传导部于该开口中包括：
形成一传导层于该第一介电层上方并且填充该开口；
进行一平坦化制程，以自该第一介电层的一上表面移除该传导层的一部分；
形成一遮罩，覆盖该开口中的该传导层；
形成一第二介电层于该第一介电层上方并且覆盖该遮罩；
进行一第二平坦化制程，以移除该第二介电层的一部分并且暴露该遮罩；和
移除该遮罩以形成一凹部。
2.如权利要求1所述的制造方法，其中该第一传导部的一热膨胀系数大于该第一介电部的一热膨胀系数，以及膨胀该第一传导部与该第二传导部至少其中之一包括进行一热处理制程，以膨胀该第一传导部的一厚度大于该第一介电部的一厚度。
3.如权利要求2所述的制造方法，其中在一第一温度，形成具有该凹部的该第一传导部，以及该热处理制程加热该第一传导部与该第二传导部至少其中之一至一第二温度，该第二温度高于该第一温度。
4.如权利要求1所述的制造方法，其中该凹部分离该第一传导部与该第二传导部，以及该第一介电部接触该第二介电部。
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