[发明专利]发光二极管显示器在审
申请号: | 201711077697.2 | 申请日: | 2017-11-06 |
公开(公告)号: | CN107731863A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 张正杰;蔡正晔;林晴祥;俞方正;陈振彰;黄柏荣;杨文玮;曹梓毅 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 梁挥,许志影 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 显示器 | ||
技术领域
本发明关于一种发光二极管显示器,更特别有关于微型发光二极管的显示器。
背景技术
随着科技的进步,显示器也从较为厚重的阴极射线管(Cathode Ray Tube,CRT)显示器逐渐转变成较为扁平且轻薄的液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)、等离子显示器(Plasma Display Panel,PDP)、有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示器或微型发光二极管(Micro LED)显示器等。
全彩的发光二极管显示器可利用缩小化的发光二极管(Micro LED)构成红、绿、蓝色的子像素,而不需要传统液晶显示器中的彩色滤光片,此结构更为简单、体积小。并且,发光二极管可制作在可挠式的基板上,使得发光二极管显示器不只轻薄还可弯曲。因此,发光二极管显示器的开发与研究俨然已成为目前市场重要的趋势之一。
图1为现有的发光二极管显示器的局部剖面示意图。如图1所示,发光二极管显示器100包括相对设置的第一基板10、第二基板19以及设置于第一基板10与第二基板19之间的发光二极管阵列,其中,第一基板10为主动元件阵列基板,其包含多个像素电路(图1中绘示了三个像素电路,分别标注为T1、T2、T3)、绝缘层11、像素定义层12、至少一第一电极(图1中绘示了三个第一电极,分别标注为161、162、163)以及至少一第二电极18。图1中标注的三个像素电路T1、T2及T3分别位于相对应的红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素中,用以分别各自驱动红光微型发光二极管13、绿光微型发光二极管14以及蓝光微型发光二极管15。像素电路T1、T2、T3例如为薄膜晶体管,红光微型发光二极管13、绿光微型发光二极管14以及蓝光微型发光二极管15分别位于像素定义层12的多个开孔中。
绝缘层150覆盖像素电路T1、T2、T3;且绝缘层150对上述多个像素电路可具有多个通孔(图1中绘示了三个通孔,分别标注为TH1、TH2、TH3),以暴露出部分的像素电路T1、T2与T3,第一电极161、162、163可通过对应的通孔TH1、TH2、TH3与对应的像素电路T1、T2、T3电性连接。此外,第一电极161、162、163上分别各自设置有电性粘结层171、172、173,电性粘结层171、172、173用以将第一电极161、162、163分别各自电性连接至红光微型发光二极管13、绿光微型发光二极管14以及蓝光微型发光二极管15的一端。第二电极18则电性连接红光微型发光二极管13、绿光微型发光二极管15以及蓝光微型发光二极管15的另一端。第二电极18例如为共通电极。
驱动发光二极管显示器100发光时,若驱动电压较低,例如驱动电压低于2V,绿光微型发光二极管14在600nm-650nm的波长范围内会产生杂讯,进而使得绿光微型发光二极管14发出的光偏黄,致使整个发光二极管显示器100显示的画面出现色偏。
因此,为了克服现有的发光二极管显示器的绿光微型发光二极管的发光偏黄的问题,本发明提出一种新的发光二极管显示器。
发明内容
本发明有关于广泛应用于显示设备的发光二极管(Light Emitting Diode,LED),将发光二极管边长尺寸缩小为100微米以下制作于阵列基板上,形成发光二极管显示器。
本发明提供一种发光二极管显示器,包括第一基板,像素单元设置于该第一基板上,该像素单元包括红色子像素、绿色子像素与蓝色子像素,该绿色子像素具有绿光微型发光二极管,该绿光微型发光二极管包括:初始绿光微型发光二极管;绿色色阻覆盖层,该绿色色阻覆盖层覆盖于该初始绿光微型发光二极管的外侧表面,该绿色色阻覆盖层具有至少一开口;以及,第一接触电极,设置于该绿色色阻覆盖层上,且该第一接触电极自该至少一开口电连接于该初始绿光微型发光二极管;其中,该绿色色阻覆盖层用于滤除该初始绿光微型发光二极管发出的光线中波长为600nm至650nm的光线。
可选地,该初始绿光微型发光二极管为垂直式发光二极管,该初始绿光微型发光二极管包括第一型半导体层、第一主动层及第二型半导体层,第一主动层设置于该第一型半导体层上,第二型半导体层设置于该第一主动层上,且该第二型半导体层相对该第一主动层的表面为出光面。
可选地,该第一接触电极层设置于该第二型半导体层的该出光面。
可选地,该第一接触电极与该第二型半导体层之间形成欧姆接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的