[发明专利]薄膜晶体管基板及包括薄膜晶体管基板的显示装置

说明书

公开了一种薄膜晶体管基板及包括薄膜晶体管基板的显示装置，有助于实现其中栅极电极设置在有源层下方的底栅结构并且增大存储电容器的区域的，其中薄膜晶体管基板可包括遮光层、用于覆盖遮光层的缓冲层、以及驱动晶体管，驱动晶体管在与遮光层交叠的同时制备在缓冲层上并且用于向有机发光器件提供驱动电流。驱动晶体管包括：驱动晶体管有源层，具有驱动晶体管源极层、驱动晶体管漏极层和驱动晶体管沟道层，驱动晶体管有源层与遮光层交叠；与驱动晶体管沟道层交叠的驱动晶体管栅极绝缘膜；和制备在驱动晶体管栅极绝缘膜上的驱动晶体管上部电极，驱动晶体管漏极层通过遮光层接收第一电压，且驱动晶体管上部电极接收与第一电压不同的第二电压。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年12月16日提交的韩国专利申请No.10-2016-0172913的权益，在此援引该专利申请作为参考，如同在这里完全阐述一样。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种薄膜晶体管基板及包括薄膜晶体管基板的显示装置。

背景技术

随着多媒体的发展，显示装置的重要性增强。因而，已采用诸如液晶显示装置、等离子体显示装置和有机发光显示装置之类的各种平板显示装置。在这些平板显示装置之中，液晶显示装置和有机发光显示装置广泛用于笔记本电脑、电视、平板电脑、监视器、智能电话和移动显示设备的显示装置。

用于液晶显示装置和有机发光显示装置的显示面板包括薄膜晶体管(TFT)和存储电容器Cst这些必要元件。在薄膜晶体管(TFT)的情形中，非常重要的是长期保持电可靠性和耐久性以及诸如迁移率和漏电流之类的元件特性。

薄膜晶体管(TFT)包括用于沟道区域、源极区域和漏极区域的有源层。薄膜晶体管(TFT)的有源层由诸如非晶硅或多晶硅之类的半导体材料形成。当有源层由非晶硅形成时，其迁移率较低，使得难以实现以高速驱动的驱动电路。当有源层由多晶硅形成时，其迁移率较高。然而，阈值电压是不均匀的，从而必须提供额外的补偿电路。为了克服这个问题，已积极研发具有氧化物半导体的有源层的氧化物薄膜晶体管。

当相关技术的驱动晶体管由薄膜晶体管(TFT)形成时，其被设计为栅极电极设置在有源层上方的顶栅结构。在具有顶栅结构的驱动晶体管的情形中，在S因数曲线(Sfactorgraph)中具有较大的倾斜度。S因数曲线显示了驱动晶体管中的栅极电压的变化与驱动电流的变化的比率。当驱动晶体管的S因数曲线的倾斜度较大时，数据电压的可用范围变小，由此在低灰度级表现中是不利的。此外，当驱动晶体管具有较小的S因数时，可导致较大的驱动电流误差。

在相关技术的驱动晶体管的情形中，源极节点实现在源极/漏极金属薄膜中。在这种情形中，接触孔(CNT)的数量较大，由此具有复杂的结构。此外，由于制备在与源极节点相邻的源极/漏极金属薄膜中的接触孔，难以增大存储电容器的区域。

发明内容

因此，本发明的实施方式旨在提供一种基本上克服了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的薄膜晶体管基板及包括薄膜晶体管基板的显示装置。

本发明的一个方面旨在提供一种有助于实现其中栅极电极设置在有源层下方的底栅结构并且增大存储电容器的区域的薄膜晶体管基板及包括薄膜晶体管基板的显示装置。

在下面的描述中将部分列出本发明实施方式的附加优点和特征，这些优点和特征的一部分根据下面的解释对于所属领域普通技术人员将变得显而易见或者可通过本发明实施方式的实施领会到。通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发明实施方式的这些目的和其他优点。