[发明专利]射频设备

权利要求书

1.一种射频设备，其特征在于，包括：

形成在封装的再分配层中的第一天线和第二天线；以及

形成在所述封装的所述再分配层中的至少一个导电迹线，所述至少一个导电迹线独立于所述第一天线和所述第二天线，其中所述第一天线是发射机天线，所述第二天线是接收机天线，并且所述至少一个导电迹线的尺寸和位置被设置成捕获来自所述第一天线的能量从而减小所述第二天线与所述第一天线之间的不期望的耦合；

其中，所述至少一个导电迹线具有开放端和连接到接地端的端。

2.如权利要求1所述的射频设备，其特征在于，其中所述第一天线和所述第二天线位于每一个所述导电迹线的同一侧。

3.如权利要求1所述的射频设备，其特征在于，还包括：第一接地端和第二接地端，所述至少一个导电迹线包括第一导电迹线和第二导电迹线，其中所述第一导电迹线连接到所述第一接地端，并且所述第二导电迹线连接到所述第二接地端。

4.如权利要求1所述的射频设备，其特征在于，所述RF设备被调谐为波长λ，并且所述开放端和所述连接到接地端的端之间的长度等于λ/4的奇数倍。

5.如权利要求1所述的射频设备，其特征在于，所述第一天线和所述第二天线中的每一个包括天线元件和馈线，并且所述第一天线和所述第二天线的天线元件之间的距离大于所述第一天线和所述第二天线的馈线之间的距离。

6.如权利要求4所述的射频设备，其特征在于，所述第一天线和所述第二天线之间的隔离在对应于所述波长λ的频率处包括凹口。

7.如权利要求6所述的射频设备，其特征在于，所述凹口的最低点小于-35dB。

8.一种射频设备，其特征在于，包括：

模制层；

嵌入模制层内的芯片；

耦合到所述芯片的再分配层；

形成在所述再分配层中的第一天线；以及

形成在所述再分配层中的导电迹线，所述导电迹线的尺寸和位置被设置以用于捕获从所述第一天线传输的能量的一部分从而减小所述第一天线与第二天线之间的不期望的耦合；

其中，所述导电迹线包括开放端和连接到地面的端。

9.如权利要求8所述的射频设备，其特征在于，所述芯片包括发射机和/或接收机。

10.如权利要求8所述的射频设备，其特征在于，所述第一天线包括天线元件和馈线，所述馈线包括第一端、第二端以及第三端，其中，所述第一端连接到由接地端和所述芯片的第一输出端组成的一组端中的一个，所述第二端连接到所述芯片的第二输出端，所述第三端连接到所述天线元件，并且所述导电迹线包括开放端和连接到所述接地端的端。

11.如权利要求10所述的射频设备，其特征在于，其中所述导电迹线平行于所述馈线。

12.如权利要求10所述的射频设备，其特征在于，所述导电迹线垂直于所述馈线。

13.如权利要求8所述的射频设备，其特征在于，所述第一天线被调谐为波长λ，并且所述导电迹线的开放端和连接到地面的端之间的长度等于λ/4的奇数倍。

14.如权利要求8所述的射频设备，其特征在于，所述导电迹线是第一导电迹线，所述射频设备包括形成在所述再分配层中的多个导电迹线，所述多个导电迹线中的每一个包括开放端和连接到接地端的端，其中所述多个导电迹线包括所述第一导电迹线。

15.如权利要求14所述的射频设备，其特征在于，所述第一导电迹线具有选择的第一长度以改善第一频率范围内的隔离性能，并且所述多个导电迹线中的第二导电迹线具有不同于所述第一长度的第二长度，所述第二长度被选择以提高与第一频率范围不同的第二频率范围内的隔离性能。