[发明专利]一种微弧氧化工艺

权利要求书

1.一种微弧氧化工艺，其特征在于，所述微弧氧化工艺为微弧氧化生长工艺，包括以下步骤：

(1)配置电解液：根据需要生长氧化层的金属基体配制微弧氧化生长电解液；

(2)设计阴阳极参数：以需要生长氧化层的金属基体工件作阳极，不锈钢板作阴极，根据需要生长氧化层的金属基体工件的大小调节阴阳两极间距在10-100mm；

(3)调节外电路工艺参数：所述微弧氧化生长工艺采用直流脉冲电源，选择恒流模式或者恒压模式，恒流模式下峰值电流密度3-10A/dm2，恒压模式下输出电压200-650V，调控脉冲宽度⊿ton为20-120us，两个脉冲之间间隔⊿toff为1.5-2.0ms；

(4)微弧氧化生长：将需要生长氧化层的金属基体工件置于微弧氧化生长电解液中，在既定的氧化生长工艺参数的控制下，氧化生长10-40min后，关闭电源，取出工件后用去离子水清洗吹干。

2.一种微弧氧化工艺，其特征在于，所述微弧氧化工艺为微弧氧化剥离工艺，包括以下步骤：

(1)配置电解液：根据需要剥离氧化层的金属基体配制微弧氧化剥离电解液；

(2)设计阴阳极参数：以需要剥离氧化层的金属基体工件作阳极，不锈钢板作阴极，根据需要剥离氧化层的金属基体工件的大小调节阴阳两极间距在10-100mm；

(3)调节外电路工艺参数：所述微弧氧化剥离工艺采用直流脉冲电源，选择恒流模式或者恒压模式，恒流模式下峰值电流密度10-200A/dm2，恒压模式下输出电压200-600V，调控脉冲宽度⊿ton为2-20us，两个脉冲之间间隔⊿toff为10-50us，同时采用自下而上的流体管道，流速控制在0.5-2m/s；

(4)微弧氧化剥离：将需要剥离氧化层的金属基体工件置于微弧氧化剥离电解液中，在既定的氧化剥离工艺参数的控制下，氧化剥离10-40min后，关闭电源，取出工件后用去离子水清洗吹干。

3.根据权利要求1或2所述的微弧氧化工艺，其特征在于，所述微弧氧化生长电解液和微弧氧化剥离电解液均为利于阳极表面形成富氧气隙膜的电解液。

4.根据权利要求3所述的微弧氧化工艺，其特征在于，所述微弧氧化生长电解液包括硅酸盐电解质体系或磷酸盐电解质体系。

5.根据权利要求4所述的微弧氧化工艺，其特征在于，所述硅酸盐电解质体系为包括硅酸盐50g/L、氟化物30g/L，碱金属氢氧化物调节pH值至12的水溶液。

6.根据权利要求4所述的微弧氧化工艺，其特征在于，所述磷酸盐电解质体系为包括磷酸盐110g/L，碱金属氢氧化物调节pH值至8-9的水溶液。

7.根据权利要求3所述的微弧氧化工艺，其特征在于，所述微弧氧化剥离电解液为硝酸盐电解质体系。

8.根据权利要求7所述的微弧氧化工艺，其特征在于，所述硝酸盐电解质体系为包括硝酸盐10g/L，氯盐3g/L，碳酸盐6g/L，碱金属氢氧化物调节pH值至8-9的水溶液。

9.根据权利要求4～8任一项所述的微弧氧化工艺，其特征在于，所述金属基体包括铝、镁、钛及其合金、不锈钢。