[发明专利]一种连接孔结构的制备方法在审
| 申请号： | 201711071620.4 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN107946190A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 张成铖;丁振宇;刘志攀;陈幸 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/308;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 连接 结构 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种连接孔结构的制备方法，其特征在于，包括：
步骤S1，提供上表面制备有一钨金属层的晶圆；
步骤S2，于所述钨金属层的上表面依次制备一氧化层和一非定型碳薄膜层；
步骤S3，采用一光刻工艺于所述非定型碳薄膜层和所述钨金属层内形成通孔；
步骤S4，采用一等离子刻蚀工艺去除所述非定型碳薄膜层；
其中，所述步骤S4中，所述等离子刻蚀工艺采用的反应气体为氮气和氢气的混合气体。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述等离子刻蚀工艺采用恒定的射频频率。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述射频频率为1000～5000W。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述氮气的流量为200～8000sccm。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述氢气的流量为200～7000sccm。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述等离子刻蚀工艺采用双保护层对晶圆进行保护。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述等离子刻蚀工艺采用的压强为400～1000mtorr。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述等离子刻蚀工艺的刻蚀时间为600～900s。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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