[发明专利]声谐振器或滤波器设备的制造方法有效
申请号: | 201711064743.5 | 申请日: | 2017-11-02 |
公开(公告)号: | CN108023569B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 罗摩克里希纳·韦特力;亚历山大·Y·费尔德曼;迈克尔·D·霍奇;阿特·盖斯;肖恩·R·吉布;马克·D·博姆加登;迈克尔·P·刘易斯;皮纳尔·帕特尔;杰弗里·B·希利 | 申请(专利权)人: | 阿库斯蒂斯有限公司 |
主分类号: | H03H9/17 | 分类号: | H03H9/17;H03H9/56;H03H3/02 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华;李欣 |
地址: | 美国北卡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 谐振器 滤波器 设备 制造 方法 | ||
1.一种用于制造声谐振器或滤波器设备的方法,所述方法包括:
提供具有衬底表面区域的衬底;
在所述衬底表面区域的上面形成单晶压电层,所述单晶压电层具有顶部压电表面区域和底部压电表面区域;
在所述顶部压电表面区域的上面形成顶部金属电极,所述顶部金属电极具有一个或多个顶部金属电极边缘,所述一个或多个顶部金属电极边缘的特征在于具有顶部电极边缘几何形状;
在所述单晶压电层的一部分内形成顶部微沟槽;
在所述顶部微沟槽内形成具有顶部金属插头的顶部金属;
在所述衬底内形成使所述底部压电表面区域暴露的背部沟槽,所述背部沟槽在所述顶部金属电极和所述顶部微沟槽的下面;
在所述背部沟槽内、在所述底部压电表面区域的下面或附近形成背部金属电极,所述背部金属电极电联接到所述顶部金属,所述背部金属电极具有一个或多个背部金属电极边缘,所述一个或多个背部金属电极边缘的特征在于具有背部电极边缘几何形状;
形成用于电连接的至少两个金属焊盘,其中,至少一个金属焊盘电联接到所述顶部金属电极,且至少一个金属焊盘电联接到所述背部金属电极;以及
在所述背部沟槽内、在所述底部压电表面区域的下面形成背部金属插头,所述背部金属插头电联接到所述顶部金属插头和所述背部金属电极,其中,所述顶部微沟槽、所述顶部金属插头和所述背部金属插头形成微通孔,
其中,所述顶部电极边缘几何形状和所述背部电极边缘几何形状中的每一者包括如下形状中的一者:下坡边缘、上坡边缘、上下坡边缘、上平下坡边缘、阶梯边缘、和圆形边缘。
2.如权利要求1所述的方法,其中,形成所述顶部金属电极和所述背部金属电极包括用于形成所述一个或多个顶部金属电极边缘的边缘轮廓制造过程,其中,所述边缘轮廓制造过程能够选自如下项:图案化溅射过程、图案化蒸发和剥离过程、蒸发和图案化刻蚀过程、修整过程、激光烧蚀过程和离子束研磨过程。
3.如权利要求1所述的方法,其中,所述顶部金属电极包括在所述一个或多个顶部金属电极边缘附近、在所述顶部金属电极内形成的凹槽;以及
其中,所述背部金属电极包括在所述一个或多个背部金属电极边缘附近、在所述背部金属电极内形成的凹槽。
4.如权利要求1所述的方法,还包括:
去除所述单晶压电层的一部分以在所述顶部压电表面区域上形成第一顶部凹槽。
5.如权利要求1所述的方法,还包括:
去除所述单晶压电层的一部分以在所述底部压电表面区域上形成第一背部凹槽。
6.如权利要求1所述的方法,还包括:
去除所述单晶压电层的一部分以在所述顶部压电表面区域上形成第一顶部凹槽;以及
去除所述单晶压电层的一部分以在所述底部压电表面区域上形成第一背部凹槽。
7.如权利要求1所述的方法,还包括:
去除所述单晶压电层的一部分以在所述顶部压电表面区域上形成顶部凹槽;以及
其中,形成所述顶部金属电极包括:在所述顶部凹槽内、在所述顶部压电表面区域的上面形成所述顶部金属电极。
8.如权利要求1所述的方法,还包括:
去除所述单晶压电层的一部分以在所述底部压电表面区域上形成背部凹槽;以及
其中,形成所述背部金属电极包括:在所述背部凹槽内、在所述底部压电表面区域的下面形成所述背部金属电极。
9.如权利要求1所述的方法,还包括:
去除所述单晶压电层的一部分以在所述顶部压电表面区域上形成顶部凹槽;
其中,形成所述顶部金属电极包括:在所述顶部凹槽内、在所述顶部压电表面区域的上面形成所述顶部金属电极;
去除所述单晶压电层的一部分以在所述底部压电表面区域上形成背部凹槽;以及
其中,形成所述背部金属电极包括:在所述背部凹槽内、在所述底部压电表面区域的下面形成所述背部金属电极。
10.如权利要求1所述的方法,还包括:
形成顶部边缘边界材料,所述顶部边缘边界材料在所述顶部压电表面区域的一部分上面且物理地联接到所述顶部压电表面区域的该部分以及物理地联接到所述顶部金属电极的一部分。
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