[发明专利]半导体封装件和制造半导体封装件的方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

成型基底；

至少一个第一半导体芯片，位于成型基底中，所述至少一个第一半导体芯片包括芯片焊盘；

布线结合焊盘，位于成型基底的第一表面处，使得布线结合焊盘中的每个的第二表面嵌入在成型基底内，布线结合焊盘中的每个的面向第二表面的第三表面与成型基底的第一表面共平面，所述第三表面与所述第二表面对应，布线结合焊盘通过结合布线连接到芯片焊盘；以及

再分布布线层，覆盖成型基底的第一表面，再分布布线层包括再分布布线，再分布布线连接到布线结合焊盘，

其中，再分布布线层包括第一绝缘层，第一绝缘层与成型基底的第一表面直接接触，并包括暴露布线结合焊盘的开口，布线结合焊盘通过开口与再分布布线物理接触，

其中，第一半导体芯片包括其上设置有第一芯片焊盘的第四表面和与第四表面相对的第五表面，

第一半导体芯片的第五表面与再分布布线层接触，并且

第一半导体芯片的第五表面与成型基底的第一表面共平面。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，再分布布线中的至少一条第一再分布布线位于第一绝缘层上，并且所述至少一条第一再分布布线的部分通过开口与布线结合焊盘接触。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

支撑构件，位于成型基底中，支撑构件的至少一部分通过成型基底的第一表面被暴露。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

多个第二半导体芯片，顺序地堆叠在第一半导体芯片上。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

第二半导体芯片，位于成型基底中，

其中，第二半导体芯片在其第六表面上包括多个芯片焊盘，第二半导体芯片的第六表面面向再分布布线层，再分布布线中的至少一些再分布布线电连接到第二半导体芯片的所述多个芯片焊盘。

6.根据权利要求5所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

凸块结合焊盘，形成在成型基底的第一表面中，以及

导电凸块，将凸块结合焊盘连接到第二半导体芯片的所述多个芯片焊盘。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，结合布线结合到布线结合焊盘的第二表面，布线结合焊盘的第三表面与布线结合焊盘的第二表面相对，所述第三表面与成型基底的第一表面共平面。

8.一种制造半导体封装件的方法，所述方法包括：

在虚设基底上形成布线结合焊盘；

在虚设基底上堆叠至少一个第一半导体芯片；

形成结合布线以将所述至少一个第一半导体芯片的第一芯片焊盘与布线结合焊盘连接；

使用成型构件在虚设基底上覆盖所述至少一个第一半导体芯片，以形成成型基底；

从成型基底去除虚设基底，使得布线结合焊盘从成型基底的第一表面暴露；以及

在成型基底的第一表面上形成再分布布线层，再分布布线层包括电连接到布线结合焊盘的再分布布线，

其中，在虚设基底上堆叠至少一个第一半导体芯片的步骤包括布置所述至少一个第一半导体芯片，使得第一芯片焊盘位于所述至少一个第一半导体芯片的第一表面上，所述至少一个第一半导体芯片的第二表面面向虚设基底，所述至少一个第一半导体芯片的第二表面与所述至少一个第一半导体芯片的第一表面相对，并且所述至少一个第一半导体芯片的第二表面与成型基底的第一表面共面。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成再分布布线层的步骤包括：

在成型基底的第一表面上形成第一绝缘层，第一绝缘层具有暴露布线结合焊盘的开口；以及

在第一绝缘层上形成第一再分布布线，第一再分布布线通过开口与布线结合焊盘接触。

10.根据权利要求8所述的方法，所述方法还包括：

在形成布线结合焊盘之前在虚设基底上形成分隔层。