[发明专利]一种疏水性耐酸高电导率阴离子交换膜及其制备方法

权利要求书

1.一种疏水性耐酸高电导率阴离子交换膜，其特征在于：由疏水性聚合物、聚苯胺和添加剂通过热相转化法成膜，再经溶刻后制成半致密、疏水、高电导和耐酸的阴离子交换膜；

所述疏水性耐酸高电导率阴离子交换膜的制备方法如下：

（1）在20~70℃下将聚苯胺、添加剂和溶剂Ⅰ混合搅拌2h以上，得到聚苯胺分散液；将疏水性聚合物和溶剂Ⅱ混合搅拌2h以上，之后将聚苯胺分散液加入疏水性聚合物溶液中继续混合搅拌4h以上，得到铸膜液；其中，按原料总质量的百分数计，聚苯胺、添加剂、溶剂Ⅰ、疏水性聚合物、溶剂Ⅱ的添加量分别为1%~4%、0.1%~0.2%、15%~25%、10%~15%和60%~70%；

制备中溶剂Ⅰ和溶剂Ⅱ使用相同的试剂；

（2）将铸膜液超声震荡20~40 min，之后静置12~30 h；

（3）将静置后的铸膜液于玻璃板上刮成800~1000微米厚的液膜，并于60~80℃下烘干得到致密的固相膜，之后在乙醇-水溶液中浸泡0.5~2 h，去除剩余的溶剂；

（4）将该膜放入质量浓度为85%~98%硫酸中进行溶刻30~120 min后，得到耐酸高导电阴离子交换膜。

2.根据权利要求1所述的疏水性耐酸高电导率阴离子交换膜，其特征在于：疏水聚合物为聚偏氟乙烯、聚氯乙烯、聚醚砜中的一种。

3.根据权利要求1所述的疏水性耐酸高电导率阴离子交换膜，其特征在于：添加剂为聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、n-丙基三甲氧基硅烷、正硅酸乙酯中的一种。

4.根据权利要求1所述的疏水性耐酸高电导率阴离子交换膜，其特征在于：溶剂Ⅰ或溶剂Ⅱ为N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜中的一种。

5.根据权利要求1所述的疏水性耐酸高电导率阴离子交换膜，其特征在于：步骤（3）中乙醇-水溶液是乙醇和水按体积比1:3~3:1的比例混合。