[发明专利]一种等离子体放电电极的制备方法

说明书

本发明涉及等离子体技术领域，尤其涉及一种等离子体放电电极的制备方法。利用沉积法在铝基座上沉积绝缘层，然后采用蚀刻法，在绝缘层上制作调节通道和凹槽，之后将固定层与绝缘层固定，之后设置氧化铝层以及调节螺杆、压缩弹簧。可通过转动调节螺母，经由调节螺杆调节固定层和氧化铝层之间的距离，对绝缘层表面的自偏压进行调节，使绝缘层表面的离子能量特性及分布状况达到工艺要求，从而减少更换电极的时间，提高等离子体设备的运行效率。

技术领域

本发明涉及等离子体技术领域，尤其涉及一种等离子体放电电极的制备方法。

背景技术

随着等离子体技术的进步，等离子体技术从传统的半导体和微机械领域已扩展到太阳能领域，并且逐渐向其它领域发展，这使得等离子体设备开发企业之间的竞争日趋激烈，从而促使设备开发企业不断地创新，对等离子体设备进行改造或改进。现有的等离子体放电电极安装在等离子体设备后，等离子体放电电极绝缘层对其表面的自偏压影响已经确定，若工艺发生改变，只能更换新的等离子体放电电极以适应新工艺的要求，操作不便。

因此，有必要提供一种等离子体放电电极及其制备方法，以解决上述问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种等离子体放电电极及其制备方法，以解决现有的等离子体放电电极绝缘层对其表面的自偏压影响已经确定，无法适应不同工艺的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：

一种等离子体放电电极，包括：电源固定架、铝基座、绝缘层、调节螺杆、压缩弹簧、固定层、氧化铝层、固定螺栓、射频电源以及调节螺母；

所述电源固定架的一侧设置有槽体，所述铝基座设置在所述槽体的一侧，所述射频电源固定于所述电源固定架上与所述槽体相反的一侧；所述绝缘层设置于所述铝基座上远离所述电源固定架的一侧；所述绝缘层端面设置有凹槽，所述绝缘层的顶部和底部分别设置有与所述凹槽连通的调节通道；所述固定层和所述氧化铝层均竖直设置于所述有凹槽内；所述固定层与所述氧化铝层相互平行，所述固定层位于所述凹槽的外侧，所述氧化铝层位于所述凹槽的内侧；所述铝基座的顶部和底部设置有贯穿所述铝基座两端面的通孔；所述调节螺杆呈L形，所述调节螺杆设置于所述通孔内；所述调节螺杆伸出所述通孔的一端与所述氧化铝层的端部连接；所述铝基座的端面与所述调节螺杆之间设置有所述压缩弹簧；所述电源固定架上对应所述通孔设置有过孔，所述调节螺杆的末端穿过所述过孔的一端设置有所述调节螺母；所述电源固定架和所述铝基座之间通过所述固定螺栓连接。

优选地，所述绝缘层的高度小于所述铝基座的高度，所述铝基座的顶部和底部的通孔之间的距离大于所述绝缘层的高度，所述绝缘层位于所述铝基座的顶部和底部的通孔之间的区域。

优选地，所述固定层和所述氧化铝层的厚度相等，所述绝缘层的厚度小于所述铝基座的厚度。

等离子体放电电极的制备方法步骤如下：利用沉积法在铝基座上沉积绝缘层，然后采用蚀刻法，在绝缘层上制作调节通道和凹槽，之后将固定层与绝缘层固定，之后设置氧化铝层以及调节螺杆、压缩弹簧。

本发明所具有的优点与效果是：