[发明专利]高折射率氢化硅薄膜的制备方法、高折射率氢化硅薄膜、滤光叠层和滤光片有效
| 申请号： | 201711061130.6 | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN107841712B | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 张睿智;唐健;王迎;余辉;陆张武;徐征驰;张启斌 | 申请（专利权）人： | 浙江水晶光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/35;C23C14/58;G02B1/10;G02B5/28 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 唐维虎 |
| 地址： | 318000 浙江省台州市椒*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 折射率 氢化 薄膜 制备 方法 滤光 | ||
【权利要求书】：
1.一种高折射率氢化硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(a)干净的基体放在真空溅射反应镀膜机的滚筒上，镀膜面朝外，滚筒在镀膜腔室内匀速旋转；
(b)镀膜腔室内真空度达到10-4～10-3Pa时，开启溅射源并通氩气，通过MF磁控Si靶溅射，在基体上沉积Si，形成硅薄膜；
(c)随着滚筒转动，基体被带往反应源区域，开启反应源并通氢气、氧气和氩气，形成等离子体，与硅薄膜发生反应，形成含氧的氢化硅薄膜，反应源为RF或ICP等离子体激发源；
其中，溅射源的功率为6～12kW ，反应源的功率为0.5～5kW ，通入的氧气占通入的氢气和氧气总和的体积百分比为4～99％；或，
包括以下步骤：
(a)干净的基体放在真空溅射反应镀膜机的滚筒上，镀膜面朝外，滚筒在镀膜腔室内匀速旋转；
(b)镀膜腔室内真空度达到10-4～10-3Pa时，开启溅射源并通氩气，通过MF磁控Si靶溅射，在基体上沉积Si，形成硅薄膜；
(c)随着滚筒转动，基体被带往反应源区域，开启反应源并通氢气、氮气和氩气，形成等离子体，与硅薄膜发生反应，形成含氮的氢化硅薄膜，反应源为RF或ICP等离子体激发源；
其中，溅射源的功率为6～12kW ，反应源的功率为1.5～5kW ，通入的氮气占通入氢气和氮气总和的体积百分比为5～20％。
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