[发明专利]一种基于晶体拉曼放大技术的脉冲式高能量单频589nm激光器在审
申请号: | 201711058109.0 | 申请日: | 2017-11-01 |
公开(公告)号: | CN107565361A | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
发明(设计)人: | 刘兆军;薛峰;吴倩文;丛振华;张行愚 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | H01S3/102 | 分类号: | H01S3/102;H01S3/108;H01S3/109;H01S3/11;H01S3/30 |
代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司37219 | 代理人: | 吕利敏 |
地址: | 250199 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 晶体 放大 技术 脉冲 高能量 589 nm 激光器 | ||
1.一种基于晶体拉曼放大技术的脉冲式高能量单频589nm激光器,其特征在于,所述激光器包括:1.06μm基频光种子源、1.06μm基频光多级放大系统、1178nm拉曼种子光系统、1178nm拉曼放大系统、高效倍频系统和电学控制系统。
2.根据权利要求1所述的一种基于晶体拉曼放大技术的脉冲式高能量单频589nm激光器,其特征在于,所述的1.06μm基频光种子源通过被动调Q和纵模选取获得单纵模百纳秒量级脉宽的脉冲输出。
3.根据权利要求1所述的一种基于晶体拉曼放大技术的脉冲式高能量单频589nm激光器,其特征在于,所述1.06μm基频光种子源采用LD端面泵浦方式,以掺钕晶体为增益介质。
4.根据权利要求1所述的一种基于晶体拉曼放大技术的脉冲式高能量单频589nm激光器,其特征在于,所述电学控制系统用于:控制1.06μm基频光多级放大系统电源的开关,使所述1.06μm基频光种子源与1.06μm基频光多级放大系统在时序上同步工作。
5.根据权利要求4所述的一种基于晶体拉曼放大技术的脉冲式高能量单频589nm激光器,其特征在于,所述电学控制系统通过光电探测器探测1.06μm基频光种子源发出种子光信号,并将种子光信号进行延时、波形转换处理后,输出给1.06μm基频光多级放大系统。
6.根据权利要求1所述的一种基于晶体拉曼放大技术的脉冲式高能量单频589nm激光器,其特征在于,所述1.06μm基频光多级放大系统包括一个或多个双程放大装置,用于接收并放大1.06μm基频光种子源发出的种子光。
7.根据权利要求6所述的一种基于晶体拉曼放大技术的脉冲式高能量单频589nm激光器,其特征在于,所述双程放大装置包括:沿种子光依次设置的二分之一玻片、光隔离器、偏振分光镜、激光晶体、四分之一玻片和全反镜;所述偏振分光镜透射放大光的水平偏振分量,反射放大光的竖直偏振分量至下一个双程放大装置。
8.根据权利要求1所述的一种基于晶体拉曼放大技术的脉冲式高能量单频589nm激光器,其特征在于,所述1178nm拉曼种子光系统通过所述的1.06μm基频光多级放大系统得到的1.06μm高能脉冲激光作为1.06μm基频光,以BaWO4晶体或CaWO4晶体作为拉曼晶体,将1.06μm基频光通过受激拉曼散射效应转换为1178nm拉曼光;采用纵模选取实现单纵模的1178nm晶体激光器运转。
9.根据权利要求8所述的一种基于晶体拉曼放大技术的脉冲式高能量单频589nm激光器,其特征在于,所述1178nm拉曼放大系统将所述1178nm拉曼种子光系统得到的种子光和所述1.06μm基频光多级放大系统得到的基频光同时注入BaWO4晶体或CaWO4晶体中,通过受激拉曼散射,1.06μm基频光的能量向1178nm拉曼光转化;再将拉曼放大后的1178nm拉曼光输入到下一级BaWO4晶体或CaWO4晶体进行依次放大。
10.根据权利要求9所述的一种基于晶体拉曼放大技术的脉冲式高能量单频589nm激光器,其特征在于,所述高效倍频系统通过将1178nm波长的光输入到倍频晶体中,通过非线性倍频效应,将1178nm波长的光转化为589nm波长的光。
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