[发明专利]一种硅片的玻璃烧成工艺

说明书

本发明提供一种硅片的玻璃烧成工艺，包括对涂覆玻璃浆料后的硅片依次进行预烧成和烧成，预烧成包括：第一步、将硅片升温至100‑300℃并保持一段时间，第二步、将硅片升温至500‑600℃并保持一段时间，烧成包括：第一步、将硅片升温至600‑700℃并保持一段时间，第二步、将硅片升温至750‑850℃并保持一段时间。该玻璃烧成工艺可以有效的控制硅片的玻璃烧成过程，防止升温过程控制不当使烧成过程中玻璃不定型，槽内玻璃流动到电极面表面，影响半导体材料的外观及影响后续工艺的进行。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，尤其是涉及一种硅片的玻璃烧成工艺。

背景技术

随着半导体行业的迅速发展，半导体硅片产能日趋扩大。随着半导体技术的发展，对半导体表面钝化的要求越来越高，作为钝化材料，应具备良好的电气性能、可靠性、良好的化学稳定性、可操作性以及经济性。根据上述要求，半导体钝化专用玻璃作为一种较为理想的半导体钝化材料在半导体行业中开始应用。玻璃钝化是将玻璃浆料涂覆到硅片腐蚀槽内上，然后经烧成过程，在高温下将玻璃浆料中的粘合剂烧掉，并使玻璃粉熔化在硅片上结的表面上形成密封保护层的过程。

玻璃钝化中的烧成是重要的一步，烧成使玻璃粉由粉末状态变为玻璃固态对硅片表面形成保护层，烧成过程的控制会直接影响最终得到的玻璃的致密程度、玻璃网格结构的完整程度，从而直接影响半导体的性能。现有技术中玻璃钝化过程对烧成的工艺没有进行良好的控制，直接将硅片升温至高温烧结，玻璃浆料中不同燃点的有机物和粘合剂剧烈燃烧，产生局部放热，使硅片的表面钝化效果不好，影响得到的半导体材料的性能。

发明内容

本发明要解决的问题是提供一种硅片的玻璃烧成工艺，对硅片的玻璃烧成的过程进行控制，保证烧成后的产品外观和性能更好。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种硅片的玻璃烧成工艺，包括对涂覆玻璃浆料后的硅片依次进行预烧成和烧成，预烧成包括：第一步、将硅片升温至100-300℃并保持一段时间，第二步、将硅片由100-300℃升温至500-600℃并保持一段时间，烧成包括：第一步、将硅片由500-600℃升温至600-700℃并保持一段时间，第二步、将硅片由600-700℃升温至750-850℃并保持一段时间。

技术方案中，优选的，在预烧成的过程中通入氧气。

技术方案中，优选的，在烧成的过程中通入氧气。

技术方案中，优选的，预烧成中第一步中将硅片升温至100-300℃后保持10-30min。

技术方案中，优选的，预烧成中第二步中将硅片由100-300℃升温至500-600℃后保持10-30min。

技术方案中，优选的，烧成还包括第三步、将硅片由750-850℃降温至500-600℃并保持一段时间。

技术方案中，优选的，第三步中降温速率为2-3℃/min。

技术方案中，优选的，烧成中第一步中将硅片由500-600℃升温至600-700℃后保持10-20min。

技术方案中，优选的，烧成中第二步中将硅片由600-700℃升温至750-850℃后保持10-20min。

本发明具有的优点和积极效果是：该玻璃烧成工艺可以有效的控制硅片的玻璃烧成过程，防止升温过程控制不当使烧成过程中玻璃不定型，槽内玻璃流动到电极面表面，影响半导体材料的外观及影响后续工艺的进行，经该烧成工艺烧成后产品外观合格，电极面无玻璃点，沟槽内玻璃光滑透明、完整，电参数性合格。

附图说明

图1是使用现有烧成技术后得到的硅片的外观图。

图2是使用现有烧成技术后得到的硅片的外观图(300倍显微镜下)。