[发明专利]一种双端转单端电路

权利要求书

1.一种双端转单端电路，其特征在于：包括源跟随级、共源级和隔直电容，所述电路输入端为INP和INN，输入差分信号，输出端为OUT，输出单路信号；INP接入源跟随级，INN接入共源级，源跟随级与共源级的输出经过隔直电容后合为一路，实现单端输出；所述源跟随级包括PMOS晶体管M2和NMOS晶体管M4，所述共源级包括PMOS晶体管M1和NMOS晶体管M3；PMOS晶体管M2的源级和PMOS晶体管M1的漏极相连，PMOS晶体管M2的漏极接地，衬底接电源VDD，NMOS晶体管M4的源级和NMOS晶体管M3的漏极相连，NMOS晶体管M4的衬底接地，漏极接电源VDD；PMOS晶体管M1的源级和衬底接电源VDD，NMOS晶体管M3的源级和衬底接地。

2.根据权利要求1所述的一种双端转单端电路，其特征在于：所述电路还包括相位细调级，所述相位细调级串联于INP与源跟随级之间或INN与共源级之间，使相位领先的一路信号产生相移，以减小两路信号之间的相位差。

3.根据权利要求1或2所述的一种双端转单端电路，其特征在于：所述隔直电容包括第一电容C1和第二电容C2，所述第一电容C1的一端接所述PMOS晶体管M1的漏极，另一端接OUT，所述第二电容C2的一端接所述NMOS晶体管M4的源级，另一端接OUT。

4.根据权利要求1或2所述的一种双端转单端电路，其特征在于：所述电路还包括输入偏置网络，所述输入偏置网络与所述源跟随级和共源级的输入端相连，用于提供源跟随级和共源级工作所需的偏置电压。

5.根据权利要求4所述的一种双端转单端电路，其特征在于：所述输入偏置网络包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4和第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6，所述第一电阻R1的一端与所述PMOS晶体管M1的栅极相连，另一端接偏置电压，所述第二电阻R2一端接所述PMOS晶体管M2的栅极，另一端接偏置电压，所述第三电阻R3一端接所述NMOS晶体管M3的栅极，另一端接偏置电压，所述第四电阻R4一端接所述NMOS晶体管M4的栅极，另一端接偏置电压；所述第三电容C3的一端接输入信号INN，另一端接所述PMOS晶体管M1的栅极，所述第四电容C4的一端接输入信号INP，另一端接所述PMOS晶体管M2的栅极，所述第五电容C5的一端接输入信号INN，另一端接所述NMOS晶体管M3的栅极，所述第六电容C6的一端接输入信号INP，另一端接所述NMOS晶体管M4的栅极。

6.根据权利要求2所述的一种双端转单端电路，其特征在于：所述相位细调级包括第五电阻R5和第六电阻R6，所述第五电阻R5位于输入端INP与所述PMOS晶体管M2的栅极之间的线路上，所述第六电阻R6位于输入端INP与所述NMOS晶体管M4的栅极之间的线路上。

7.根据权利要求2所述的一种双端转单端电路，其特征在于：所述相位细调级包括第五电阻R5和第六电阻R6，所述第五电阻R5位于输入端INN与所述PMOS晶体管M1的栅极之间的线路上，所述第六电阻R6位于输入端INN与所述NMOS晶体管M3的栅极之间的线路上。