[发明专利]一种单向TVS芯片玻钝前二次扩散工艺有效

申请号：	201711057754.0	申请日：	2017-11-01
公开（公告）号：	CN109755112B	公开（公告）日：	2021-09-07
发明（设计）人：	梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;王晓捧;王宏宇;王鹏	申请（专利权）人：	天津环鑫科技发展有限公司
主分类号：	H01L21/22	分类号：	H01L21/22;H01L21/225;H01L29/861;H01L21/328
代理公司：	天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213	代理人：	栾志超
地址：	300380 天津市西青区***	国省代码：	天津;12
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摘要：
搜索关键词：	一种单向 tvs 芯片玻钝前二次扩散工艺
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【说明书】：

本发明公开了一种单向TVS芯片玻钝前二次扩散工艺，该方法包括如下步骤：S1磷扩散，对硅片表面预沉积磷扩散源并扩散；S2硼扩散，以印刷的方式涂布在所述硅片的待扩硼面涂硼源并扩散；S3制绒，使得硅片表面的粗糙度增加，为硅片后续玻钝工艺中保护胶的涂覆提供涂覆基础。本发明的有益效果是采用丝网印刷工艺在硅片待扩硼面印刷硼扩散源，使得硅片液态源的涂覆流程得到简化，加工周期缩减；液态源涂覆后采用负压扩散工艺，减轻硅片边缘返源情况，扩散工艺步骤简化，提高了扩散效率；制作的PN结均匀，使得硅片的加工成本降低。

技术领域

本发明属于硅片的制造工艺领域，尤其涉及一种单向TVS芯片玻钝前二次扩散工艺。

背景技术

瞬态(瞬变)电压抑制二级管，即TVS(Transient Voltage Suppressor) 二极管大量使用在各种电子电路系统中，其与电阻、电容等元器件配合，以作为瞬态高压抑制保护的用途。单向瞬态电压抑制器(单向TVS)在正常工作状态下， TVS对受保护线路呈高阻抗状态，当瞬间电压超过其击穿电压时，TVS就提供一个低阻抗的路径予瞬间电流。使得流向被保护元器件的瞬间电流转而分流到TVS 二极管，而受保护元器件两端的电压被限制在TVS两端的箝制的电压，当这个过压条件消失后，TVS二极管又将恢复到高阻抗状态。TVS广泛用于各类保护电子电路中,市场前景广阔，发展空间较大。

目前，行业内硅片的制作大多会用到扩散工艺形成PN结，目前业内常用的扩散工艺一般采用纸源一次全扩散，由于纸源在烧结后硅片间间隙增大，导致挥发磷源扩散至硼面造成返源，形成的PN结不均匀，且生产周期长。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种单向TVS芯片玻钝前二次扩散工艺。

本发明提供了一种单向TVS芯片玻钝前二次扩散工艺，包括如下步骤：

S1磷扩散，对硅片表面预沉积磷扩散源并扩散；

S2硼扩散，以印刷的方式将硼扩散源涂布在所述硅片的待扩硼面并扩散；

其中，所述S2步骤硼扩散，包括步骤：

S2-1印刷硼扩散源，采用丝网印刷技术对磷扩散后的所述硅片待扩硼面印刷硼扩散源，印刷完所述硅片需进行烘干；

S2-2将所述硅片两面喷洒上Al2O3粉末或硅粉；

S2-3负压扩散，所述硅片置于扩散炉内，将所述扩散炉内气压抽至负压。

优选地，所述负压扩散为恒温扩散，扩散温度1250℃-1300℃。

其中，所述S1步骤磷扩散，具体为：用氮气携带三氯氧磷方式将磷源沉积在硅片表面并进行磷扩散。