[发明专利]一种采用印刷工艺制作FRGPP芯片的方法有效
| 申请号: | 201711057735.8 | 申请日: | 2017-11-01 |
| 公开(公告)号: | CN109755117B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
| 发明(设计)人: | 梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;王晓捧;王宏宇;王鹏 | 申请(专利权)人: | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/228 | 分类号: | H01L21/228;H01L21/329 |
| 代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
| 地址: | 300380 天津市西青区*** | 国省代码: | 天津;12 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 采用 印刷 工艺 制作 frgpp 芯片 方法 | ||
本发明涉及一种采用印刷工艺制作FRGPP芯片的方法,制备步骤包括硅片预处理,多重扩散,玻钝印刷制图,金属化和测试分选,其中扩散步骤采用硅磷一次性负压扩散,并采用湿法制绒,铂扩散采用涂铂源,玻钝过程采用印刷的方式进行保护层和玻璃桨的涂布,简化了玻钝过程,增加了制备速率。与传统方法比较,印刷工艺制作FRGPP芯片生产过程规模化、自动化、信息化、少人化;FRGPP芯片产品生产成本低、品质高、一致性高、市场兼容性好;印刷工艺效率高、精度高,替代现有工艺流程中涂覆、镀膜、电泳等工艺,实现自动化少人化生产的同时,提升产品一致性,降低环保、安全风险。
技术领域
本发明属于FRGPP芯片技术领域,尤其是涉及一种采用印刷工艺制作FRGPP芯片的方法。
背景技术
快恢复玻璃钝化二极管(FRGPP)作为一种开关特性好、反向恢复时间短的半导体二极管,应用领域很广范,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,市场前景广阔,发展空间较大。
现行业中主要使用3种工艺用于生产FRGPP芯片:刀刮工艺、电泳工艺、光阻玻璃工艺,此三种工艺中,刀刮法FRGPP工艺简单,成本低、但是焊接时因台面边缘及钝化玻璃上无氧化膜保护,焊锡易流到玻璃上,可靠性会降低,应用时易失效;电泳工艺沟槽尖角有钝化玻璃保护,可靠性相对较高,但是生产中铂扩散后硅片的反向恢复时间(trr)性能不均匀,并且铂扩散后需要氧化且氧化温度高于铂扩散温度,导致反向恢复时间(trr)离散性更大,另外生产需要使用大量丙酮,存在安全隐患,相对成本较高;光阻玻璃法采用3层钝化保护(SIPOS、玻璃、二氧化硅),反向电压更高使用硅片电阻率范围更宽、可靠性高,但是生产中需3次光刻,生产成本较高。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供一种采用印刷工艺制作FRGPP芯片的方法,在提高现有产品质量的基础上进一步提高产能。
本发明采用的技术方案是:一种采用印刷工艺制作FRGPP芯片的方法,制备步骤包括:
S1多重扩散;
S2玻钝印刷制图;
S3金属化。
其中,所述S1步骤多重扩散包括步骤:
S1-1磷硼一次扩散制绒;
S1-2铂扩散。
以上技术方案,优选地,所述S1-2步骤铂扩散包括步骤:
S1-2-1铂扩散前处理;
S1-2-2铂扩散;
S1-2-3铂扩散后检验;
优选地,所述铂扩散前处理包括扩硼面单面打砂;
所述S1-2-2步骤铂扩散是采用涂源工艺对打砂面涂铂扩散源,将多片涂布好的硅片以铂扩散源面相对的方式放置,进行常压扩散;
所述S1-2-3步骤铂扩散后检验是对铂扩散后的硅片进行trr测试。
以上技术方案,优选地,所述S1-1步骤磷硼一次扩散制绒包括步骤:
S1-1-1扩散前处理,对硅片进行减薄;
S1-1-2磷硼一次扩散,对扩散前处理的硅片一面扩散磷扩散源,另一面扩散硼扩散源或硼铝扩散源,放入炉内扩散;
S1-1-3制绒,使得硅片表面的粗糙度增加,为硅片后续玻钝工艺中保护胶的涂覆提供涂覆基础。
优选地,所述磷硼一次扩散为负压扩散;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津环鑫科技发展有限公司,未经天津环鑫科技发展有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711057735.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





