[发明专利]一种干法打砂清洗工艺有效

申请号：	201711057486.2	申请日：	2017-11-01
公开（公告）号：	CN109755100B	公开（公告）日：	2022-04-08
发明（设计）人：	黄志焕;李亚哲;徐长坡;陈澄;梁效峰;杨玉聪;王晓捧;王宏宇;王鹏	申请（专利权）人：	天津环鑫科技发展有限公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;B08B3/12;B08B3/08
代理公司：	天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213	代理人：	栾志超
地址：	300380 天津市西青区***	国省代码：	天津;12
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摘要：
搜索关键词：	一种干法打砂清洗工艺
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【权利要求书】：

1.一种干法打砂清洗工艺，其特征在于：包括依次进行以下步骤：

S1：对打砂后的硅片进行超声清洗；所述S1步骤中的对打砂后的硅片进行超声清洗的时间为20-40min，每当超声清洗进行5～10min后，更换一次纯水；

S2：对超声清洗后的硅片进行超声后处理，包括以下步骤：

S21：超声溢水清洗；

S22：纯水清洗；

S23：腐蚀液处理，所述腐蚀液处理为酸处理或硅刻蚀液处理，对于磷扩散硅片超声后处理的腐蚀液处理为所述酸处理，对于硼磷扩散硅片超声后处理的腐蚀液处理为所述硅刻蚀液处理；所述酸处理为氢氟酸处理，所述氢氟酸的浓度为40％-60％，所述氢氟酸处理的时间为5～10min；所述硅刻蚀液的时间为10～20s，硅刻蚀液的主要成分是硝酸、氢氟酸、醋酸以及水，按照体积比例为3～6∶0.5～1.2∶0.7～2.6∶0.6～1.3进行混合；

S24：纯水清洗；

S3：对超声后处理的硅片进行清洗剂清洗；

所述对超声后处理的硅片进行清洗剂清洗具体包括以下步骤：

S31：配置DZ-1、DZ-2清洗剂；

S32：DZ-1清洗进行清洗；应用DZ-1清洗剂对硅片进行清洗，将硅片放置在DZ-1清洗剂中，对硅片应用DZ-1清洗剂进行超声清洗，清洗的时间为5～10min；

S33：热纯水清洗；

S34：DZ-2清洗剂进行清洗；应用DZ-2清洗剂对硅片进行清洗，将经过热纯水清洗的硅片放置在DZ-2清洗剂中，应用超声波对硅片进行超声清洗，清洗的时间为5～10min；

S35：热纯水清洗；

S36：溢水清洗。

2.根据权利要求1所述的干法打砂清洗工艺，其特征在于：所述的步骤S22与步骤S24中的纯水清洗均为两级纯水清洗。

3.根据权利要求1所述的干法打砂清洗工艺，其特征在于：所述溢水清洗为四级溢水清洗。

4.根据权利要求1所述的干法打砂清洗工艺，其特征在于：在所述打砂后的硅片进行超声清洗时间内进行多次盛放硅片容器内换水。