[发明专利]高介电、高储能纳米复合材料的制备方法有效
申请号: | 201711056990.0 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN107901523B | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 孙彬;黄兴溢;陈金;朱荧科;王利伟;江平开 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | B32B9/00 | 分类号: | B32B9/00;B32B9/04;B32B27/06;B32B27/30;B32B33/00 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高介电 高储能 纳米 复合材料 制备 方法 | ||
1.一种高介电、高储能纳米复合材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
分别制备静电纺丝前驱体溶液、涂膜前驱体溶液B和涂膜前驱体溶液C;
将所述静电纺丝前驱体溶液进行静电纺丝,得到有序纤维膜A;
将所述涂膜前驱体溶液B进行流延成膜,得到流延膜B,将所述有序纤维膜A平铺于所述流延膜B的表面,干燥后在有序纤维膜A的上表面进行涂膜前驱体溶液C的流延,形成流延膜C;
将所述流延膜C干燥后,在200℃下进行淬火,得到所述高介电、高储能纳米复合材料,所述高介电、高储能纳米复合材料中的一维纳米材料保持原来位置并具有原来的排列;
所述静电纺丝前驱体溶液的制备方法包括如下步骤:将一维纳米材料分散于有机溶剂中,加入成膜剂,使所述成膜剂充分溶解即可;所述涂膜前驱体溶液B和涂膜前驱体溶液C的制备方法与静电纺丝前驱体溶液制备方法相同;
所述一维纳米材料为介电陶瓷材料或导电材料。
2.如权利要求1所述的高介电、高储能纳米复合材料的制备方法,其特征在于,所述成膜剂为聚(偏二氟乙烯-co-六氟乙烯)。
3.如权利要求1所述的高介电、高储能纳米复合材料的制备方法,其特征在于,所述介电陶瓷材料为钛酸钡、钛酸锶钡、钛酸锶、钛酸铅、钛酸锆中的至少一种;所述导电材料为碳纳米管、二硫化钼中的至少一种。
4.如权利要求1所述的高介电、高储能纳米复合材料的制备方法,其特征在于,所述成膜剂为聚偏氟乙烯、聚偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物或聚偏氟乙烯-三氟乙烯-三氟氯乙烯共聚物中的至少一种。
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