[发明专利]具有垂直间隔开的部分包封的接触结构的封装体

说明书

一种封装体(100)包括：至少一个电子芯片(102)，包封所述至少一个电子芯片(102)的至少一部分的包封材料(108)，部分在所述包封材料(108)内延伸、部分在所述包封材料(108)外延伸并且与所述至少一个电子芯片(102)中的至少一个的至少一个第一端子电耦合的第一导电接触结构(118)，部分在所述包封材料(108)内延伸、部分在所述包封材料(108)外延伸并且与所述至少一个电子芯片(102)中的至少一个的至少一个第二端子电耦合的第二导电接触结构(119)，其中，第一导电接触结构(118)的在所述包封材料(108)内的至少一部分和第二导电接触结构(119)的在所述包封材料(108)内的至少一部分在所述封装体(100)的两个相反的主表面之间的方向上被间隔开。

技术领域

本发明涉及多种封装体、一种车辆、一种使用方法和多种制造封装体的方法。

背景技术

例如用于汽车应用的功率模块为功率器件提供物理容纳，该功率器件通常是成包括一个或两个以上集成电路器件的电子芯片形式的功率半导体装置。功率模块的集成电路器件的示例是绝缘栅双极晶体管(IGBT：insulated-gate bipolar transistor)和二极管。

对于具有电子功能的封装体，特别是在实施在这种封装体中的变换器电路的情况下，希望的是高切换速度与低切换损耗相结合。然而，利用传统方法，这是难以实现的。

发明内容

可能需要一种允许以高电子性能和低损耗运行的封装体。

根据一个示例性实施例，提供了一种封装体，其包括：至少一个电子芯片，包封所述至少一个电子芯片的至少一部分的包封材料，部分在所述包封材料内延伸、部分在所述包封材料外延伸并且与所述至少一个电子芯片中的至少一个的至少一个第一端子(例如第一芯片焊盘)电耦合的第一导电接触结构，以及部分在所述包封材料内延伸、部分在所述包封材料外延伸并且与所述至少一个电子芯片中的至少一个的至少一个第二端子(例如第二芯片焊盘)电耦合的第二导电接触结构，其中，所述第一导电接触结构的至少一部分和所述第二导电接触结构的至少一部分在包封材料内在所述封装体的两个相反的主表面(它们可以彼此平行定位)之间的方向上被间隔开。

根据另一示例性实施例，提供了一种功率封装体，其包括：多个半导体功率芯片(它们可以电互连)，包封所述多个半导体功率芯片中的每一个的至少一部分的包封材料，部分在所述包封材料内延伸、部分在所述包封材料外延伸并且与所述多个半导体功率芯片中的至少一个的至少一个第一端子电耦合的第一导电接触结构，部分在所述包封材料内延伸、部分在所述包封材料外延伸并且与所述多个半导体功率芯片中的至少一个的至少一个第二端子电耦合的第二导电接触结构，其中，所述第一导电接触结构的至少一部分(特别是在所述包封材料内)和所述第二导电接触结构的至少一部分(特别是在所述包封材料内)彼此垂直间隔开并电解耦(其中，水平方向可对应于所述封装体的相反的主表面)。

根据另一示例性实施例，提供了一种车辆，其包括具有上述特征的所述封装体中的一种。

根据又一示例性实施例，提供了一种制造封装体的方法，其中，所述方法包括：通过包封材料包封至少一个电子芯片的至少一部分，提供部分在所述包封材料内延伸、部分在所述包封材料外延伸并且与所述至少一个电子芯片中的至少一个的至少一个第一端子电耦合的第一导电接触结构，提供部分在所述包封材料内延伸、部分在所述包封材料外延伸并且与所述至少一个电子芯片中的至少一个的至少一个第二端子电耦合的第二导电接触结构，以及将所述第一导电接触结构的在所述包封材料内的至少一部分和所述第二导电接触结构的在所述包封材料内的至少一部分在所述封装体的两个相反的主表面之间延伸的方向上彼此间隔开。