[发明专利]一种用于大功率芯片的散热装置及其散热板制备方法有效

专利信息
申请号: 201711053182.9 申请日: 2017-10-31
公开(公告)号: CN107833870B 公开(公告)日: 2020-01-14
发明(设计)人: 蒋翔;田亮亮 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/473;H01L21/02
代理公司: 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 代理人: 何淑珍
地址: 511458 广东省广州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 大功率 芯片 散热 装置 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种用于大功率芯片的散热装置的散热板制备方法, 其特征在于,包括如下步骤:

步骤一,铜片的打磨:

将预先准备好的铜片用砂纸进行打磨,除去表面氧化层;

步骤二,铜片清洗步骤:

将打磨好的铜片浸没在0.5~2mol/L的Na2CO3溶液超声震荡10~20分钟,随后用体积分数为3%~9%的稀H2SO4清洗,去除表面的氧化物,接着按照丙酮、乙醇、去离子水的顺序分别超声震荡5~15分钟,每一项清洗之后都用高纯氮气吹干;

步骤三,铜片的光刻:

在清洗后的铜表面涂覆正性光刻胶,将带有定制图案的掩膜贴附于铜表面,将紫外灯照射掩膜1~3分钟,紫外线照射的部分光刻胶溶解,紫外线没有照射的部分起到保护亲水区的作用,之后按照步骤二进行清洗;

步骤四,铜片的疏水化:

将上一步铜片浸入浓度为1~5mmol·L-1的硬脂酸乙醇溶液中室温下下浸泡8~10h,取出后用无水乙醇冲洗干净,室温下用氮气吹干;

步骤五,疏水化后的光刻:

将经过步骤四处理的铜片再次用紫外灯照射1~3分钟,取出后用无水乙醇冲洗干净,室温下用氮气吹干,即在铜片表面形成疏水区(4)和亲水区(5)相间的图案化表面。

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