[发明专利]一种防止氟掺杂硅氧化膜表面产生晶状缺陷的方法在审
申请号: | 201711052356.X | 申请日: | 2017-10-30 |
公开(公告)号: | CN109727842A | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 梁长亮;秦建宝;周硕;李伟 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;高伟 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅氧化膜 氟掺杂 晶体状缺陷 晶圆 清洗 晶圆表面 弱酸溶液 晶状 半导体制造 有效减少 水汽 氟离子 良率 沉积 去除 暴露 生长 | ||
1.一种防止氟掺杂硅氧化膜表面产生晶状缺陷的方法,其特征在于,所述方法包括:
提供晶圆,在所述晶圆表面上沉积氟掺杂硅氧化膜;以及
采用弱酸溶液对所述晶圆的表面执行清洗步骤。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述弱酸溶液的PH值介于5-7之间。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述弱酸溶液的PH值介于6-7之间。
4.根据权利要求1或2或3所述的方法,其特征在于,所述弱酸溶液为碳酸溶液。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述氟掺杂硅氧化膜包括氟硅玻璃或SiON-F。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述晶圆置于晶圆清洗装置中以执行所述清洗步骤。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述晶圆清洗装置包括晶圆旋干机、晶圆清洗槽或晶圆擦洗装置。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述氟掺杂硅氧化膜为金属间介电绝缘层。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述沉积为化学气相沉积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造