[发明专利]一种防止氟掺杂硅氧化膜表面产生晶状缺陷的方法在审

专利信息
申请号: 201711052356.X 申请日: 2017-10-30
公开(公告)号: CN109727842A 公开(公告)日: 2019-05-07
发明(设计)人: 梁长亮;秦建宝;周硕;李伟 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;高伟
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 硅氧化膜 氟掺杂 晶体状缺陷 晶圆 清洗 晶圆表面 弱酸溶液 晶状 半导体制造 有效减少 水汽 氟离子 良率 沉积 去除 暴露 生长
【权利要求书】:

1.一种防止氟掺杂硅氧化膜表面产生晶状缺陷的方法,其特征在于,所述方法包括:

提供晶圆,在所述晶圆表面上沉积氟掺杂硅氧化膜;以及

采用弱酸溶液对所述晶圆的表面执行清洗步骤。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述弱酸溶液的PH值介于5-7之间。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述弱酸溶液的PH值介于6-7之间。

4.根据权利要求1或2或3所述的方法,其特征在于,所述弱酸溶液为碳酸溶液。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述氟掺杂硅氧化膜包括氟硅玻璃或SiON-F。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述晶圆置于晶圆清洗装置中以执行所述清洗步骤。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述晶圆清洗装置包括晶圆旋干机、晶圆清洗槽或晶圆擦洗装置。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述氟掺杂硅氧化膜为金属间介电绝缘层。

9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述沉积为化学气相沉积。

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