[发明专利]一种用于降低光刻单面保护缺陷的制造方法

权利要求书

1.一种用于降低光刻单面保护缺陷的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、将硅片(1)依次进行RCA I化学清洗、RCA II化学清洗和烘干；

S2、将烘干后的硅片(1)进行氧化，在硅片(1)上生长氧化层(2)；

S3、在氧化后的硅片(1)正面或背面涂敷负性光刻胶，涂敷负性光刻胶的面构成匀胶面(3)，放入110～120℃洁净烘箱中进行前烘30-40min，在涂敷负性光刻胶的另一面附有少量光刻胶(4)；

S4、将涂敷光刻胶的硅片进行曝光，此时只曝光匀胶面，曝光时间4～6秒，汞灯光强为50～80mw/cm2，另一面不进行曝光；

S5、曝光后，将硅片放入负性显影液中显影、漂洗、时间为10min；

S6、显影后将硅片放入140～150℃洁净烘箱中进行坚膜，时间30～40min；

S7、坚膜后，将硅片放入腐蚀液中进行腐蚀，以除去未用光刻胶保护面的氧化层；

S8、去胶，将硅片进行去胶；

S9、将去胶后的硅片,进行单面扩散。

2.根据权利要求1所述的一种用于降低光刻单面保护缺陷的制造方法，其特征在于：所述步骤S2中，硅片(1)氧化的扩散温度为1100～1200℃，通氧时间为6～8h,要求氧化层(2)的厚度为1.2～1.6微米。

3.根据权利要求1所述的一种用于降低光刻单面保护缺陷的制造方法，其特征在于：所述步骤S7中腐蚀液的组成为氟化铵和氢氟酸，其中V氟化铵：V氢氟酸＝5：1，腐蚀液温度为35～40℃。

4.根据权利要求1所述的一种用于降低光刻单面保护缺陷的制造方法，其特征在于：所述步骤S8中硅片去胶采用的溶液为V浓硫酸：V过氧化氢＝4:1的溶液。