[发明专利]基板湿式处理装置

说明书

本发明公开一种基板湿式处理装置，其包括一浸泡槽、一喷洗处理槽、一输送载具以及一控制单元。控制单元控制多个基板的湿式处理。浸泡槽包括一多片式容置部，控制单元分别控制每一基板于多片式容置部的浸泡处理时序。喷洗处理槽邻设于浸泡槽。控制单元控制输送载具移送一第一基板至多片式容置部；经过一间隔时间，移送一第二基板至多片式容置部；第一基板经过一浸泡处理时间，移送至喷洗处理槽；经过一喷洗处理时间后，移出第一基板；及第二基板经过该浸泡处理时间，移送至喷洗处理槽。控制单元依据喷洗处理时间排程间隔时间。

技术领域

本发明系关于一种基板湿式处理装置。

背景技术

在半导体工艺中，需先对基板(如晶圆)进行多道清洁程序，以移除基板表面的杂质。抑或是，以微影蚀刻于基板(如晶圆)形成图案后，也必须藉由多道清洁程序以去除光阻(Photo Resistor,PR)或金属膜(Metal Film)。一般而言，系先将基板浸泡于化学液，再以喷洗的方式清洗基板，最后再以旋转的方式干燥基板，且每个步骤系使用单晶圆水平式处理单元。因此，每一片基板需等待浸泡完后，才能接着进行清洗、干燥等后续步骤。由于每个步骤的处理时间不同，如浸泡的时间较长，进而使基板处理设备的使用效率不佳。

为了改善前述情况，市面上出现一种具有批次式浸泡槽的基板处理设备，一次性将多个片基板置于浸泡槽内，以批次式进行浸泡程序。藉由批次式浸泡槽的设计，以提高基板处理设备使用效率。然而如后续程序仍是使用单晶圆水平式处理单元进行，故仍必须自批次式浸泡槽内依序取出基板(1片/次)进行清洗、干燥等步骤。因此，批次式浸泡槽的设计反而会造成必须维持同一工艺条件的每一片基板的浸泡时间却不同(例如一基板较快被取出，则浸泡时间较短；反之，另一基板浸泡时间则较长)，浸泡后的效果亦有所差异。然，后续仍以同样条件进行清洗、干燥，将使每片基板的清洗程度不同，反而会降低良率，实有改良的必要。

发明内容

有鉴于上述课题，本发明的主要目的系在提供一种基板湿式处理装置，基板湿式处理装置包括具有多片式容置部的浸泡槽，且控制单元控制多个基板的湿式处理，并藉由输送载具分别控制每一基板于多片式容置部的浸泡处理时序(如第一基板及第二基板)，控制单元并依据喷洗处理槽所需喷洗处理时间排程浸泡处理时序，以解决现有基板处理装置的基板湿式处理的问题。

为达成上述的目的，本发明提供一种基板湿式处理装置，其包括一浸泡槽、一喷洗处理槽、一输送载具以及一控制单元。控制单元控制多个基板的湿式处理。浸泡槽包括一多片式容置部，其中控制单元分别控制每一基板于多片式容置部的浸泡处理时序。喷洗处理槽邻设于浸泡槽，并具有至少一单片式喷洗单元。输送载具于浸泡槽及喷洗处理槽之间移送每一基板。控制单元控制输送载具移送该些基板中的一第一基板至浸泡槽的多片式容置部，经过一间隔时间，移送该些基板中的一第二基板至浸泡槽的多片式容置部，第一基板经过一浸泡处理时间，自浸泡槽移送至喷洗处理槽的单片式喷洗单元进行喷洗处理，经过一喷洗处理时间，自单片式喷洗单元移出第一基板，及第二基板经过该浸泡处理时间，自浸泡槽接续移送至喷洗处理槽的单片式喷洗单元进行喷洗处理，其中控制单元依据喷洗处理时间排程间隔时间。

根据本发明之一实施例，基板湿式处理装置更包括一清洗干燥单元，其邻设于单片式喷洗单元，其中输送载具自单片式喷洗单元移送每一该些基板至清洗干燥单元。

根据本发明之一实施例，清洗干燥单元设置于喷洗处理槽内，对每一该些基板先进行喷洗处理及接续进行清洗干燥。

根据本发明之一实施例，清洗干燥单元包括一清洗液供应单元及一挥发性溶液供应单元，清洗干燥单元对基板施予一清洗液及一挥发性溶液。

根据本发明之一实施例，该多片式容置部为一水平多片式容置部。

根据本发明之一实施例，多片式容置部为一垂直多片式容置部。

根据本发明之一实施例，单片式喷洗单元为一垂直单片式喷洗单元。