[发明专利]一种用于直拉单晶炉节电型热屏蔽结构

说明书

技术领域

本发明涉及直拉单晶炉技术领域，具体地说，特别涉及一种用于直拉单晶炉节电型热屏蔽结构。

背景技术

直拉单晶硅炉是一种硅的定向凝固设备，其功能是将单晶硅按照设定工艺经过熔料、引晶、放肩、转肩、等径和收尾几个阶段后成为有一定晶体生长方向的晶棒。直拉单晶炉是一种能耗较高、工时较长的生产设备，在同样的晶体方向及晶体尺寸条件下，缩短工时、减少能耗是希望得到改善的。在现有的直拉单晶炉中，为了减少能耗在拉晶炉内的加热器的周围设置隔热材料，如设计有保温罩，现有技术中随着硅电池的大量使用，如何有效的降低单位能耗，提高产能，是太阳能单晶硅铸锭研发领域中有待解决的问题。

现有的单晶硅炉单位能耗较高，生产效率较低，而且单晶棒的成晶质量差。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种用于直拉单晶炉节电型热屏蔽结构，其在原来的保温盖中间增加个热屏定位环，来挡住炉内热气从保温盖和导流筒之间冒出，这样可以控制炉内热度减少，降低了等晶功率，节约了成本。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种用于直拉单晶炉节电型热屏蔽结构，包括保温桶、保温盖、内导流筒、热屏定位环和外导流筒；所述保温桶为圆筒结构，保温桶的顶端设有定位凹槽，所述外导流筒安装在保温桶的定位凹槽里，外导流筒的顶面上设有定位凸台，外导流筒内底面上设有定位凹槽，所述内导流筒底端安装在外导流筒的定位凹槽内，所述热屏定位环底面上设有环形凹槽，热屏定位环中心孔靠近顶面处为内锥面，所述内导流筒上端卡在热屏定位环内孔锥面上，所述热屏定位环安装在外导流筒顶面上的定位凸台上，所述保温盖安装在保温桶的顶面上，所述热屏定位环卡在保温盖的环形凹槽内。

作为优选，所述内导流筒为圆锥筒结构。

作为优选，所述外导流筒底面上设有中心孔。

作为优选，所述外导流筒为帽形结构。

本发明与现有技术相比具有以下优点：既保留了原来拉制单晶棒的装置，在不改变原来热场的情况下，只是在原来石墨件保温盖上面增加个热屏定位环，这样可以让炉内热气不会从导流筒跟保温盖之间的缝隙中向上流失，使炉内恒温在一定的度数，大大节约了公司的生产成本。

附图说明

图1为本发明的一种具体实施方式的结构示意图。

附图标记说明：

1-保温桶，2-保温盖，3-内导流筒，4-热屏定位环，5-外导流筒。

具体实施方式

下面结合附图及实施例描述本发明具体实施方式：

如图1所示，一种用于直拉单晶炉节电型热屏蔽结构，包括保温桶1、保温盖2、内导流筒3、热屏定位环4和外导流筒5；所述保温桶1为圆筒结构，保温桶1的顶端设有定位凹槽，所述外导流筒5安装在保温桶1的定位凹槽里，外导流筒5的顶面上设有定位凸台，外导流筒5内底面上设有定位凹槽，所述内导流筒3底端安装在外导流筒5的定位凹槽内，所述热屏定位环4底面上设有环形凹槽，热屏定位环4中心孔靠近顶面处为内锥面，所述内导流筒3上端卡在热屏定位环4内孔锥面上，所述热屏定位环4安装在外导流筒5顶面上的定位凸台上，所述保温盖2安装在保温桶1的顶面上，所述热屏定位环4卡在保温盖2的环形凹槽内。

优选的，所述内导流筒3为圆锥筒结构。

优选的，所述外导流筒5底面上设有中心孔。

优选的，所述外导流筒5为帽形结构。

上面结合附图对本发明优选实施方式作了详细说明，但是本发明不限于上述实施方式，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下做出各种变化。

不脱离本发明的构思和范围可以做出许多其他改变和改型。应当理解，本发明不限于特定的实施方式，本发明的范围由所附权利要求限定。