[发明专利]一种用于LED外延晶圆制程的SiC承载盘制备方法

权利要求书

1.一种用于LED外延晶圆制程的SiC承载盘制备方法，包括以下步骤：

（1）以SiC粉体、B₄C粉体、碳黑和酚醛树脂为原料制备成混合粉体；其中的SiC粉体中的氧含量小于等于SiC粉体重量的1.5%，SiC粉体中的铁含量小于等于SiC粉体重量的0.02%；在混合粉体中，B₄C粉体的重量小于等于混合粉体总重量的 0.5%、碳黑的重量小于等于混合粉体总重量的2%、酚醛树脂的重量占混合粉体总重量的1-5%；

（2）将步骤（1）制备好的混合粉体中加水配成固含量为40-45%（重量百分比）的浆料，进行球磨混合；

（3）将步骤（2）球磨混合后的浆料烘干，再 研磨粉碎后过筛，将得到的粉体干压成型和等静压成型；

（4）根据晶圆承载盘的设计，以及陶瓷烧结特性，通过数控和机械加工的方法获得需要的形状和尺寸的半成品；

（5）将步骤（4）制备出的半成品真空脱粘后，在常压惰性气氛条件下烧结，烧结温度为1900-2300℃，保温时间为1-2小时，并在惰性气氛条件下自然冷却，即制备成用于LED外延晶圆制程的SiC承载盘。

2.根据权利要求1所述的一种用于LED外延晶圆制程的SiC承载盘制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中SiC粉体的粒径为0.1-1微米。

3.根据权利要求1所述的一种用于LED外延晶圆制程的SiC承载盘制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中B₄C粉体和碳黑的含量可以同时为0。

4.根据权利要求1所述的一种用于LED外延晶圆制程的SiC承载盘制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中碳黑和酚醛树脂裂解碳量总量小于等于混合粉体总重量的2%。

5.根据权利要求1所述的一种用于LED外延晶圆制程的SiC承载盘制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中球磨混合以SiC球作为研磨球。

6.根据权利要求1所述的一种用于LED外延晶圆制程的SiC承载盘制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中干压成型的压力为15-100兆帕。

7.根据权利要求1所述的一种用于LED外延晶圆制程的SiC承载盘制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中等静压的压力为150-210兆帕。