[发明专利]一种像素电路及其驱动方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 201711047038.4 申请日: 2017-10-31
公开(公告)号: CN109727570A 公开(公告)日: 2019-05-07
发明(设计)人: 赵敏;李素华;王鹏;朱朝月 申请(专利权)人: 云谷(固安)科技有限公司
主分类号: G09G3/3208 分类号: G09G3/3208;G09G3/32
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人: 许志勇
地址: 065500 河*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 像素电路 发光二极管 显示装置 电源电压 电源电压降 驱动 参考电压 存储电容 发光阶段 数据电压 不均匀 申请
【权利要求书】:

1.一种像素电路,其特征在于,包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、发光二极管以及存储电容,其中:

所述第一薄膜晶体管的栅极分别与所述第二薄膜晶体管的漏极、所述第三薄膜晶体管的源极以及所述存储电容的一端连接,所述第二薄膜晶体管的源极与初始电压信号线连接,所述存储电容的另一端分别与所述第四薄膜晶体管的漏极以及所述第五薄膜晶体管的源极连接,所述第四薄膜晶体管的源极与参考电压信号线连接;

所述第一薄膜晶体管的源极分别与所述第五薄膜晶体管的漏极、所述第六薄膜晶体管的漏极以及所述第七薄膜晶体管的源极连接,所述第六薄膜晶体管的源极与第一电源连接,所述第七薄膜晶体管的漏极与数据线连接;

所述第一薄膜晶体管的漏极分别与所述第三薄膜晶体管的漏极以及所述发光二极管的阳极连接,所述发光二极管的阴极与第二电源连接。

2.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,

所述第一电源,用于为所述第一薄膜晶体管提供电源电压;

所述发光二极管发光时电流流入所述第二电源。

3.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,

所述参考电压信号线用于提供参考电压;

所述初始电压信号线用于提供初始电压,所述初始电压用于对所述第一薄膜晶体管的栅极以及所述存储电容的一端进行初始化;

所述数据线用于提供数据电压。

4.如权利要求3所述的像素电路,其特征在于,

所述第二薄膜晶体管的栅极与第一扫描线连接,所述第一扫描线提供的第一扫描信号控制所述第二薄膜晶体管处于导通状态时,所述初始电压对所述第一薄膜晶体管的栅极以及所述存储电容的一端进行初始化;

所述第四薄膜晶体管的栅极与第二扫描线连接,所述第二扫描线提供的第二扫描信号控制所述第四薄膜晶体管处于导通状态时,所述参考电压向所述存储电容的另一端施加电压;

所述第三薄膜晶体管的栅极以及所述第七薄膜晶体管的栅极与第三扫描线连接,所述第三扫描线提供的第三扫描信号控制所述第三薄膜晶体管以及所述第七薄膜晶体管处于导通状态时,对所述第一薄膜晶体管的阈值电压进行补偿;

所述第五薄膜晶体管的栅极以及所述第六薄膜晶体管的栅极与第四扫描线连接,所述第四扫描线提供的第四扫描信号控制所述第五薄膜晶体管以及所述第六薄膜晶体管处于导通状态时,电流流经所述发光二极管。

5.如权利要求4所述的像素电路,其特征在于,

所述第四扫描线控制所述第五薄膜晶体管以及所述第六薄膜晶体管处于导通状态时,所述第一电源分别向所述第一薄膜晶体管M1的源极以及所述存储电容的另一端施加电压,在所述存储电容的作用下,流经所述发光二极管的电流与所述第一电源无关。

6.如权利要求1至5任一项所述的像素电路,其特征在于,

所述第一薄膜晶体管为P型薄膜晶体管;

所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管以及所述第七薄膜晶体管为N型薄膜晶体管或P型薄膜晶体管。

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