[发明专利]半导体上刻蚀去除氧化物的方法

权利要求书

1.一种半导体上刻蚀去除氧化物的方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S14：进行第一次刻蚀，含有氢卤酸的第一气体在等离子体形态对半导体衬底上需要去除的氧化物的主要厚度层进行刻蚀，所述氧化物在距离所述半导体衬底的上表面1～100nm时关闭等离子体的生成，以停止第一次刻蚀；所述半导体衬底上所述氧化物的剩余厚度层仍覆盖在所述半导体衬底的上表面；

步骤S16：进行第二次刻蚀，含有氢卤酸的第二气体在非等离子体形态对所述半导体衬底上所述氧化物的剩余厚度层进行刻蚀直至所述氧化物为图案化且局部裸露出所述半导体衬底上表面。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S14之前还包括：

步骤S10：形成一层所述氧化物在所述半导体衬底上；

步骤S12：形成所需图案的光刻胶在所述氧化物上，且所述光刻胶作为掩膜覆盖在需要保留的所述氧化物上。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S16中第二次刻蚀的速率低于所述步骤S14中第一次刻蚀的速率。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一气体和所述第二气体具有相同气体成分。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一气体和第二气体为含有氢卤酸与氨气(NH₃)的混合气体。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氢卤酸为氟化氢(HF)。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一气体和所述第二气体的组成还包括氩气(Ar)、八氟环丁烷(C₄F₈)、氧气(O₂)、三氟甲烷(CHF₃)、二氟甲烷(CH₂F₂)、一氧化碳(CO)、氢气(H₂)、四氟化碳(CF₄)、四氯化硅(SiCl₄)、氯气(Cl₂)、三氟化氮(NF₃)以及六氟化硫(SF₆)任意一种或者上述的多种组合。

8.如权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，所述步骤S14中所述氧化物形成为至少两种不同厚度的氧化物层。