[发明专利]基于太鼓晶圆的晶圆级封装结构及方法

权利要求书

1.一种基于太鼓晶圆的晶圆级封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

a)提供一太鼓晶圆，该太鼓晶圆包括背面中部被减薄到需要厚度而形成的中间减薄区和背面边缘未被减薄而形成的支撑环；并还通过干法刻蚀去除太鼓晶圆因研磨减薄产生的内应力；

b)制作一支撑晶圆，所述支撑晶圆的尺寸小于所述太鼓晶圆的支撑环的开口尺寸，所述支撑晶圆的厚度大于所述太鼓晶圆的支撑环的开口深度，在该支撑晶圆的一表面涂布粘结剂；

c)采用晶圆对准机构将步骤b中的支撑晶圆对准并键合固定于所述太鼓晶圆的支撑环内的中间减薄区上，使支撑晶圆与太鼓晶圆通过粘结剂连接起来；然后在太鼓晶圆的支撑环与支撑晶圆之间的环形间隙中填满填充材料；

d)将步骤c后支撑晶圆进行研磨至目标厚度，并将研磨后的支撑晶圆和太鼓晶圆组成的整体进行切割，形成单颗晶圆级封装结构。

2.根据权利要求1所述的基于太鼓晶圆的晶圆级封装方法，其特征在于：在步骤a后，在太鼓晶圆的中间减薄区内制作导电连接层。

3.一种基于太鼓晶圆的晶圆级封装结构，其特征在于，由基于太鼓晶圆的晶圆封装结构切割形成，包括依次设置的芯片、粘结层和支撑体，所述基于太鼓晶圆的晶圆封装结构包括太鼓晶圆和支撑晶圆，所述太鼓晶圆包括背面中部被减薄到需要厚度而形成的中间减薄区和背面边缘未被减薄而形成的支撑环，所述中间减薄区由若干芯片组成，各芯片之间具有切割道；所述支撑晶圆通过粘结层贴装于所述太鼓晶圆的支撑环内的中间减薄区上；所述支撑晶圆的外侧与所述支撑环之间具有环形间隙，所述环形间隙内填有填充材料，所述支撑体由所述支撑晶圆切割分立形成。

4.根据权利要求3所述的基于太鼓晶圆的晶圆级封装结构，其特征在于，所述芯片的厚度为20μm～200μm。

5.根据权利要求3所述的基于太鼓晶圆的晶圆级封装结构，其特征在于，所述芯片的背面设有导电连接层。

6.根据权利要求5所述的太鼓晶圆的晶圆级封装结构，其特征在于，所述导电连接层与所述芯片背面之间还设有钝化层。