[发明专利]表面等离子体性能可调的基底及制备方法

权利要求书

1.一种表面等离子体性能可调的基底，包括一个PDMS基片，所述的PDMS基片上转移有AAO模板的纳米柱阵列结构，其特征在于：具有纳米柱阵列结构的PDMS基片上沉积有贵金属膜层。

2.根据权利要求1所述的表面等离子体性能可调的基底，其特征在于：所述贵金属膜层的材料为Ag或Au或Pt。

3.一种权利要求1或2所述的表面等离子体性能可调的基底的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

1）将AAO模板上的结构转移到PDMS基片上，使PDMS基片表面具有纳米柱阵列结构；

2）在制作后的PDMS基片上沉积贵金属膜层，得到一种表面等离子体性能可调的基底；

3）对制作后的表面等离子体性能可调的基底进行拉伸：将制作后的贵金属PDMS基底平整的放置于一维平移拉伸夹中，基底一端固定，另一端夹在可移动平台上，使制作后的贵金属PDMS基底沿着移动平台移动方向在PDMS弹性范围内拉伸一定的长度；

4）对拉伸后的基底进行检测：检测拉伸后基底的吸收光谱，拉伸基底可实现对表面等离子体性能调控。