[发明专利]Δ-Σ调制器及用于提高Δ-Σ调制器的稳定性的方法在审
| 申请号: | 201711041699.6 | 申请日: | 2017-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN108075781A | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
| 发明(设计)人: | 蔡鸿杰 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H03M3/00 | 分类号: | H03M3/00 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
| 地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 调制器 回路滤波器 接收电路 量化器 数字输出信号 负电容电路 反馈电路 反馈信号 滤波信号 耦接 接收输入信号 输入端 | ||
1.一种Δ-Σ调制器,其特征在于,包括:
接收电路,用于接收输入信号和反馈信号,并通过将所述输入信号减去所述反馈信号来计算差值,以产生第一信号;
回路滤波器,耦接于所述接收电路,用于接收所述第一信号,并对所述第一信号进行滤波,以产生滤波信号;
具有负电容电路的量化器,耦接于所述回路滤波器,用于根据所述滤波信号产生数字输出信号,其中,所述负电容电路位于所述量化器的输入端上;以及
第一反馈电路,用于接收所述数字输出信号,以产生所述反馈信号。
2.根据权利要求1所述的Δ-Σ调制器,其特征在于,所述Δ-Σ调制器还包括:
第二反馈电路,用于接收所述数字输出信号,以产生过量回路延迟补偿信号;
减法器,耦接于所述回路滤波器、所述量化器和所述第二反馈电路,用于计算所述滤波信号和所述过量回路延迟补偿信号之间的差值,以产生补偿后的滤波信号给所述量化器;
其中,所述量化器根据所述补偿后的滤波信号产生所述数字输出信号。
3.根据权利要求1所述的Δ-Σ调制器,其特征在于,所述负电容电路用于减少所述量化器的输入寄生电容,进而减少额外的极点或延迟。
4.根据权利要求1所述的Δ-Σ调制器,其特征在于,所述量化器包括多个比较器,以及,所述负电容电路位于所述多个比较器的多个正反馈路径上。
5.根据权利要求4所述的Δ-Σ调制器,其特征在于,所述负电容电路包括多个电容器,以及,所述多个比较器中的每个比较器的每个正反馈路径具有所述负电容电路中所包括的至少一个电容器。
6.权利要求4所述的Δ-Σ调制器,其特征在于,所述多个比较器中的每个比较器具有第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端;其中,所述负电容电路在所述第一输入端和所述第二输出端之间提供电容,以及,所述负电容电路还在所述第二输入端和所述第一输出端之间提供电容。
7.根据权利要求6所述的Δ-Σ调制器,其特征在于,所述每个比较器包括:
第一PMOS晶体管,其中,所述第一PMOS晶体管的栅电极用作所述第一输入端,以及,所述第一PMOS的漏电极用作所述第一输出端;
第二PMOS晶体管,其中,所述第二PMOS晶体管的栅电极用作所述第二输入端,以及,所述第二PMOS晶体管的漏电极用作所述第二输出端;
第三PMOS晶体管,其中,所述第三PMOS晶体管的源电极耦接于电源电压,所述第三PMOS晶体管的漏电极耦接于所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的源电极;
第一NMOS晶体管,其中,所述第一NMOS晶体管的漏电极耦接于所述第一PMOS晶体管的漏电极,以及,所述第一NMOS晶体管的源电极耦接于接地电压;和
第二NMOS晶体管,其中,所述第二NMOS晶体管的漏电极耦接于所述第二PMOS晶体管的漏电极,所述第二NMOS晶体管的源电极耦接于所述接地电压,以及,所述第二NMOS晶体管的栅电极耦接于所述第一NMOS晶体管的栅电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联发科技股份有限公司,未经联发科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711041699.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





