[发明专利]双面OLED显示面板及其制造方法有效
申请号: | 201711038812.5 | 申请日: | 2017-10-30 |
公开(公告)号: | CN107833904B | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 魏锋;李金川 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双面 oled 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种双面OLED显示面板的制造方法,其特征在于,包括:
在衬底基材的一侧形成薄膜晶体管、第一OLED器件和导电元件,所述薄膜晶体管的漏极图案与所述第一OLED器件的阳极图案连接,所述导电元件的一端与所述第一OLED器件的阳极图案连接,所述导电元件的另一端被所述衬底基材的另一侧所暴露;
在所述衬底基材的另一侧形成第二OLED器件,所述第二OLED器件的阳极图案与所述导电元件的另一端连接;
其中,在衬底基材的一侧形成薄膜晶体管、第一OLED器件和导电元件,包括:
提供一下基板;
在所述下基板上形成第一导电图案;
形成覆盖所述下基板的衬底基材,所述衬底基材暴露所述第一导电图案的上表面;
在所述衬底基材上形成间隔设置的栅极图案和第二导电图案,所述第二导电图案形成于所述第一导电图案上;
在所述衬底基材上形成覆盖所述栅极图案的栅极绝缘层,所述栅极绝缘层暴露所述第二导电图案的上表面;
在所述栅极绝缘层上形成位于所述栅极图案上方的半导体图案;
在所述栅极绝缘层上形成两两间隔设置的源极图案、漏极图案和第三导电图案,所述源极图案和漏极图案分设于所述半导体图案的两端,所述第三导电图案形成于所述第二导电图案上;
在所述栅极绝缘层上形成覆盖所述半导体图案、源极图案和漏极图案的平坦层,所述平坦层暴露所述漏极图案和第三导电图案的上表面;
在所述漏极图案和第三导电图案的上表面形成第四导电图案;
在第四导电图案上形成与所述第四导电图案连接的第五导电图案;
形成覆盖所述第五导电图案的钝化层,所述钝化层开设有暴露所述第五导电图案上表面的接触孔;
在所述钝化层上形成第一OLED器件,所述第一OLED器件的阳极图案覆盖所述接触孔并与所述第五导电图案连接;
形成一封装层,所述封装层和所述衬底基材围成一容置空间,所述薄膜晶体管、第一OLED器件和导电元件位于所述容置空间内。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,由柔性材料形成所述衬底基材。
3.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述下基板包括玻璃基板。
4.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,在形成所述封装层之后,所述制造方法还包括:
在所述封装层上设置一上基板;
在所述上基板和所述衬底基材之间且位于所述封装层的外围形成保护层,所述保护层、所述上基板和所述衬底基材围成一密闭空间。
5.根据权利要求4所述的制造方法,其特征在于,在所述衬底基材的另一侧形成第二OLED器件之前,所述制造方法还包括:
将所述下基板和所述衬底基材分离。
6.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,在所述衬底基材的另一侧形成第二OLED器件之后,所述制造方法还包括:
沿所述保护层和所述封装层之间的分割线对所述衬底基材进行切割,以去除所述保护层和所述上基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的