[发明专利]Ag纳米晶、其制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201711038135.7 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN107775013B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 黄伟新;杨敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | B22F9/22 | 分类号： | B22F9/22;B22F1/00;B01J23/50;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米晶 形貌 保护剂 规整 电还原 乙烯环氧化反应 八面体形貌 立方体结构 立方体形貌 预处理气氛 催化性能 还原气氛 实验步骤 实验仪器 八面体 前驱体 乙烯环 可用 制备 催化剂 还原 应用 | ||
1.一种Ag纳米晶，其特征在于，具有八面体形貌或立方体形貌，无保护剂；
所述Ag纳米晶由无保护剂的立方体Ag2O纳米晶在CO和Ar的混合气体中还原处理得到或者由无保护剂的八面体Ag2O纳米晶在Ar中预处理后在CO和Ar的混合气体中还原处理得到。
2.一种Ag纳米晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将无保护剂的立方体Ag2O纳米晶在CO和Ar的混合气体中进行还原处理，得到立方体Ag纳米晶。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，还包括将无保护剂的立方体Ag2O纳米晶在Ar中进行预处理。
4.一种Ag纳米晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将无保护剂的八面体Ag2O纳米晶在Ar中进行预处理后在CO和Ar的混合气体中进行还原处理，得到八面体Ag纳米晶。
5.根据权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，所述预处理具体为：
将Ar以10～100ml/min的速率通过无保护剂的立方体Ag2O纳米晶或无保护剂的八面体Ag2O纳米晶，以0.5～5℃/min的速率升温至100～200℃，恒温0.5～2h。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述还原处理具体为：
将CO和Ar的混合气体以10～100ml/min的速率通过预处理后的无保护剂的立方体Ag2O纳米晶或无保护剂的八面体Ag2O纳米晶，以0.5～5℃/min的速率升温至50～200℃，恒温0.5～2h。
7.权利要求1所述的Ag纳米晶或者权利要求2～4任意一项方法制备的Ag纳米晶作为CO2电还原催化剂或乙烯环氧化催化剂的应用。
8.一种CO2电还原的方法，包括以下步骤：
以权利要求1所述的Ag纳米晶或者权利要求2～4任意一项方法制备的Ag纳米晶作为催化剂，对CO2进行电还原。
9.一种乙烯环氧化催化剂，包括权利要求1所述的Ag纳米晶或者权利要求2～4任意一项方法制备的Ag纳米晶和二氧化硅。
10.一种乙烯环氧化的方法，包括以下步骤：
以权利要求9所述的乙烯环氧化催化剂作为催化剂，对乙烯进行环氧化。
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