[发明专利]等离子体处理装置和应用于等离子体处理装置的排气构造

说明书

一种等离子体处理装置和应用于等离子体处理装置的排气构造。在等离子体处理装置中，在处理室内将基板载置于载置台的载置面上，在处理室内对载置台施加偏压用的高频电力并对基板进行等离子体处理，其具有多个分隔构件，该分隔构件设于载置面的下方位置且有导电性材料构成，将处理室分隔成对基板进行等离子体处理的处理区域和与排气系统相连的排气区域，多个分隔构件不具有开口部且与接地电位相连接使得该多个分隔构件作为偏压用的高频电力的相对电极发挥功能，相邻的分隔构件以在彼此之间形成将供给到处理区域的处理气体导向排气区域的豁口的方式分开地配置。本发明能够有效地防止在处理室内的不期望部分处的放电、等离子体进入到排气区域。

本申请是申请日为2015年05月12日、申请号为201510239622.4、发明名称为“等离子体处理装置和应用于等离子体处理装置的排气构造”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及用于对基板进行等离子体处理的等离子体处理装置和应用于等离子体处理装置的排气构造。

背景技术

在半导体器件、平板显示器(FPD)的制造工序中，存在对基板进行等离子体蚀刻、成膜处理等等离子体处理的工序。

在这样的等离子体处理中，使用等离子体蚀刻装置、等离子体CVD成膜装置等各种等离子体处理装置。在利用等离子体处理装置进行等离子体处理时，在将基板载置于在被保持为真空的处理室内设置的载置台上的状态下，在处理室内生成规定的气体的等离子体而对基板实施等离子体处理。

在等离子体处理装置中，为了防止处理室内的处理区域中的等离子体进入到排气区域中而使排气路径、设置在排气路径上的构件产生放电，公知有如下一种技术：在处理室的内壁与载置台之间设置挡板并使挡板接地，在挡板的整个面上形成有冲孔、狭缝等开口部而确保通路(例如专利文献1)。

专利文献1：日本特开2010－238980号公报

发明内容

发明要解决的问题

另外，在这样的等离子体处理装置中，为了有效地吸引等离子体中的离子，有时对载置台施加高频偏压。在大型基板的等离子体处理中，需要使这样的高频偏压为高功率的，但是，若在对载置台施加高功率的高频电力的基础上使挡板接地，则有时会在形成于挡板的冲孔处产生辉光放电或使辉光放电四处转移(日文：動き回る)这样的现象而使等离子体变得不稳定。

本发明是鉴于该情况而做出的，其课题在于，提供即使在像处理大型基板的情况那样对载置台施加高功率的高频电力的情况下也能够有效地防止在处理室内的不期望部分处产生放电、等离子体进入到排气区域的等离子体处理装置和应用于这样的等离子体处理装置的排气构造。

用于解决问题的方案

为了解决所述问题，本发明的第1技术方案提供一种等离子体处理装置，其特征在于，该等离子体处理装置包括：处理室，其用于容纳基板并对基板实施等离子体处理；载置台，其在所述处理室内并具有用于载置基板的载置面；处理气体供给系统，其用于向所述处理室内供给处理气体；排气系统，其用于对所述处理室内进行排气；等离子体生成机构，其用于生成用于对载置在所述载置台上的基板进行等离子体处理的等离子体；高频电源，其用于对所述载置台施加偏压用的高频电力；以及多个分隔构件，其由导电性材料构成且不具有开口部，该分隔构件设于所述载置面的下方位置，用于将所述处理室分隔成用于对基板进行等离子体处理的处理区域和与所述排气系统相连的排气区域，所述多个分隔构件与接地电位相连接使得所述多个分隔构件作为所述偏压用的高频电力的相对电极发挥功能，相邻的分隔构件以在彼此之间形成用于将供给到所述处理区域的处理气体导向所述排气区域的豁口(日文：間口)的方式分开地配置。