[发明专利]量子点转印方法

权利要求书

1.一种量子点转印方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供形状记忆聚合物印章的初始印章，所述初始印章设有初始凸型图案，将所述初始印章进行变形处理，使所述初始凸型图案的印面面积增大并形成形变凸型图案，得到形变印章；

提供设置在供体基底表面的量子点初始薄膜，将所述形变凸型图案的印面与所述量子点初始薄膜接触，提取所述量子点初始薄膜材料；

将所述形变印章恢复成所述初始印章的形态，使提取的量子点初始薄膜材料与目标基底接触，在所述目标基底上形成量子点图案化膜层。

2.如权利要求1所述的量子点转印方法，其特征在于，在将所述形变凸型图案的印面与所述量子点初始薄膜接触之前，还包括对所述形变凸型图案的印面边缘进行等离子体处理的步骤，所述等离子处理提高所述形变印章对所述量子点初始薄膜的粘附力。

3.如权利要求2所述的量子点转印方法，其特征在于，所述等离子体包括O₂等离子体、N₂等离子体、Ar₂等离子体中的至少一种；和/或

所述等离子体处理的形变凸型图案的印面边缘面积占所述形变凸型图案的印面面积的5-10％；和/或

所述等离子体处理的时间为10-30min。

4.如权利要求1所述的量子点转印方法，其特征在于，所述量子点初始薄膜和所述供体基底之间还设置有一层抗粘膜。

5.如权利要求1所述的量子点转印方法，其特征在于，将所述初始印章进行变形处理，使所述形变凸型图案的印面面积比所述初始凸型图案的印面面积大2-10％。

6.如权利要求1-5任一项所述的量子点转印方法，其特征在于，所述形状记忆聚合物为热致型形状记忆聚合物，所述热致型形状记忆聚合物的玻璃化温度T_g为25-150℃。

7.如权利要求6所述的量子点转印方法，其特征在于，热致型形状记忆聚合物为环氧树脂和/或聚氨酯。

8.如权利要求6所述的量子点转印方法，其特征在于，所述初始印章的制备过程包括：将制备原料混合加热溶解后，倒入第一模具中冷却形成所述初始印章；其中，

所述制备原料包括所述热致型形状记忆聚合物、固化剂和促进剂；所述第一模具内有形成所述初始凸型图案的第一凹型模底。

9.如权利要求8所述的量子点转印方法，其特征在于，将所述初始印章进行变形处理，使所述初始凸型图案的面积增大，得到形变印章的步骤包括：

将所述初始印章放入第二模具中，加热至温度大于所述热致型形状记忆聚合物的T_g、并均匀施压得所述形变印章；

其中，所述第二模具内有形成所述形变凸型图案的第二凹型模底。

10.如权利要求8所述的量子点转印方法，其特征在于，在将所述制备原料倒入所述第一模具之前，还包括在所述第一模具内涂覆一层脱模剂。