[发明专利]导通孔结构、包含所述导通孔结构的衬底结构以及用于制造所述导通孔结构的方法

权利要求书

1.一种导通孔结构，包括：

基底材料，其包含第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，且界定至少一个通孔；

第一介电层，其位在所述基底材料的所述第一表面上且包含梯度表面，所述梯度表面暴露在所述基底材料的所述通孔中；以及

第二介电层，其位在第一介电层的所述梯度表面上，所述第二介电层包含第一部分，所述第一部分位在所述基底材料的所述通孔的侧壁上及所述第一介电层的所述梯度表面上，所述第二介电层的所述第一部分的表面与所述第一介电层的内表面基本上共面。

2.根据权利要求1所述的导通孔结构，其中所述基底材料包含半导体材料。

3.根据权利要求1所述的导通孔结构，其中所述第二介电层进一步包含第二部分，所述第二部分位在所述基底材料的所述第二表面上。

4.根据权利要求3所述的导通孔结构，其中所述第二介电层的所述第一部分的厚度大于所述第二介电层的所述第二部分的厚度。

5.根据权利要求4所述的导通孔结构，其中所述第二部分的所述厚度为所述第一部分的所述厚度的约15％到约50％。

6.根据权利要求1所述的导通孔结构，其中所述第一介电层的厚度从所述基底材料的所述通孔的侧壁到所述通孔的中心减少。

7.根据权利要求1所述的导通孔结构，其中所述第二介电层的材料包含固化的光敏材料。

8.根据权利要求1所述的导通孔结构，其进一步包括导电层，其位在所述第一介电层上，其中所述导电层的表面的一部分未被所述第一介电层覆盖。

9.根据权利要求1所述的导通孔结构，其中所述基底材料在邻近于所述通孔的边缘处包含倒角部分。

10.根据权利要求9所述的导通孔结构，其中所述倒角部分的表面与所述基底材料的所述第二表面相交在一点，沿着所述基底材料的所述第二表面测量的所述点与所述通孔的侧壁之间的距离为约0.01μm到约2.25μm。

11.一种衬底结构，其包括：

基底材料，其包含第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，且界定至少一个通孔，

第一介电层，其位在所述衬底的所述第一表面上且包含梯度表面，所述梯度表面暴露在所述通孔中；以及

第二介电层，所述第二介电层包含第一部分，所述第一部分位在所述基底材料的所述通孔的侧壁上，所述第二介电层的所述第一部分的表面与所述第一介电层的内表面基本上共面。

12.根据权利要求11所述的衬底结构，其中所述第一介电层的厚度从所述衬底的所述通孔的侧壁到所述通孔的中心减少。

13.根据权利要求11所述的衬底结构，其进一步包括第二介电层，所述第二介电层进一步包含第二部分，所述第二部分位在衬底的所述第二表面上。

14.根据权利要求13所述的衬底结构，其中所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度。

15.根据权利要求13所述的衬底结构，其进一步包括第一导电层，其位在所述第一介电层上，且所述第一导电层的表面的至少一部分在所述通孔中暴露。

16.根据权利要求15所述的衬底结构，其中所述第一介电层包含中间部分，其插置在所述第二介电层的所述第一部分与所述第一导电层之间，所述中间部分包含所述梯度表面且界定至少一个开口以暴露所述第一导电层的所述表面的所述部分。

17.根据权利要求15所述的衬底结构，其进一步包括第二导电层，所述第二导电层位在所述第二介电层上且物理上接触所述第一导电层。