[发明专利]用于制造半导体芯片的方法及半导体封装构造

权利要求书

1.一种用于制造半导体芯片的方法，其特征在于，所述方法包括：

在晶圆的正面上贴附抗蚀膜；

对所述正面应用激光切割以在所述正面上形成切割槽，其中所述切割槽在所述正面上划出多个芯片，所述正面包括所述多个芯片的多个有源面；

对所述晶圆进行第一模式的第一等离子体刻蚀并刻蚀至第一深度；其中所述芯片的有源面的边缘和角隅被倒角；

对所述晶圆进行第二模式的第二等离子体刻蚀并刻蚀至第二深度，以形成芯片侧面；

对所述晶圆进行所述第一模式的第三等离子刻蚀，在不翻转晶圆的状态下，所述第一模式的第三等离子刻蚀气体通过所述晶圆在所述第一深度至所述第二深度的芯片侧面，其中所述晶圆对应于所述多个芯片的背面的边缘和角隅位置被倒角，在所述第一模式的第一和第三等离子体刻蚀是生成低聚合物的等离子体刻蚀；在所述第二模式的第二等离子体刻蚀是生成高聚合物的等离子体刻蚀，在所述第一模式的第一等离子体刻蚀、所述第二模式的第二等离子体刻蚀及所述第一模式的第三等离子刻蚀的过程，所述抗蚀膜保持覆盖所述有源面；以及

去除所述抗蚀膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一模式的第一和第三等离子体刻蚀相对于所述第二模式的第二等离子体刻蚀具有较高各向同性。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一模式的第三等离子体刻蚀过程中，同时由所述晶圆切割出多个芯片。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述倒角包括弧形倒角，所述弧形倒角使得所述芯片的所述有源面的角隅在所述正面的方向和所述芯片的对角线剖切方向皆为圆弧。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述倒角包括弧形倒角，所述倒角的圆弧长度的范围介于2微米至50微米之间。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述倒角包括直线倒角。

7.一种半导体封装构造，其特征在于，包括：

基板，包括设置在第一表面上的第一焊盘、第二表面上的端子焊盘以及电连接所述第一焊盘和所述端子焊盘的导通孔；

根据权利要求1-6任意一项所述的方法制得的芯片，设置在所述基板的所述第一表面上，所述芯片具有一有源面和一相对的背面，所述芯片包括设置在有源面上的第二焊盘，所述第二焊盘与所述第一焊盘键合；其中，所述芯片的所述有源面的边缘和角隅以及所述背面的边缘和角隅皆被倒角；

底部填充料，填充所述有源面与所述第一表面之间的空间；

塑封料，形成于所述基板的所述第一表面上，以密封至少所述芯片的侧边；以及

焊球，植接于所述端子焊盘。

8.根据权利要求7所述的半导体封装构造，其特征在于，所述倒角包括弧形倒角，所述弧形倒角使得所述芯片的所述有源面的角隅在所述正面的方向和所述芯片的对角线剖切方向皆为圆弧。

9.一种半导体封装构造，其特征在于，包括：

基板，具有第一表面、第二表面以及位于中央区域的一窗口，所述基板包括设置在所述基板的第二表面且位于所述窗口两侧的第一焊盘、以及设置在所述第二表面且位于所述第一焊盘外侧的端子焊盘；

根据权利要求1-6任意一项所述的方法制得的芯片，设置在所述基板的第一表面上，所述芯片包括设置在有源面的中间区域的第二焊盘，所述有源面的两侧区域粘合到所述基板的所述第一表面，所述窗口暴露所述第二焊盘；其中，所述有源面的边缘和角隅以及所述背面的边缘和角隅皆被倒角；

键合引线，透过所述窗口使得所述第一焊盘和所述第二焊盘键合，以将所述第一焊盘与所述第二焊盘电连接；以及

塑封料，形成于所述基板的所述第一表面上，以密封至少所述芯片的侧边，其中所述塑封料更填充于所述窗口，以密封所述键合引线。

10.根据权利要求9所述的半导体封装构造，其特征在于，所述倒角包括弧形倒角，所述弧形倒角使得所述芯片的所述有源面的角隅在所述正面的方向和所述芯片的对角线剖切方向皆为圆弧。