[发明专利]氯化钛白氧化反应器防结疤装置有效
| 申请号: | 201711034496.4 | 申请日: | 2017-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN107662943B | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
| 发明(设计)人: | 李冬勤;周艾然;杜明;陆平 | 申请(专利权)人: | 攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司 |
| 主分类号: | C01G23/07 | 分类号: | C01G23/07 |
| 代理公司: | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人: | 杨长青 |
| 地址: | 617000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 氯化 钛白 氧化 反应器 结疤 装置 | ||
本发明公开了一种氯化钛白氧化反应器防结疤装置,涉及氧化反应器防结疤领域,解决现有氯化钛白氧化反应器通过气幕以防止炉内结疤的方案中,形成气幕的喷口布置不合理,影响氯气在管道内防疤作用的问题,采用的技术方案是:管式炉靠近连接法兰处设置气幕室,气幕室的内壁上间隔布置第一类孔和第二类孔,第一类孔的开孔方向垂直于管式炉炉壁,第二类孔的开孔方向与管式炉炉身径向方向相切。氯气或氮气进入气幕室,在管式炉炉身内壁面形成垂直和旋转混合气流,旋转气流覆盖圆周壁面,形成全方位的保护气幕,防止反应区新形成的二氧化钛颗粒粘附于壁面;垂直气流对新生二氧化钛颗粒有较强的冲击力,阻隔主新形成的二氧化钛颗粒与壁面粘附,防止结疤。
技术领域
本发明涉及氧化反应器防结疤领域,特别是涉及一种大型的氯化钛白氧化反应器防结疤装置。
背景技术
TiCl4气相氧化反应在极短的时间内完成,瞬间放出大量的热量,反应过程中生成粒度极小且均匀的二氧化钛固相产物,该固相产物极易沉积到反应器的表面,再长大并发展成疤层。为了实现连续长时间的稳定生产,需通过强有力的除疤手段及时清除疤层。
国外有关四氯化钛气相氧化反应器的除疤、防疤技术形式多样。根据USP3284159,美国杜邦公司采用冷氯气或惰性气体,在加压情况下,进入气相氧化反应器,通过多孔壁在管式反应器内形成一层遮蔽气幕,防止二氧化钛颗粒在反应器壁上的粘结。多孔壁有一定的防疤功能,但多孔壁的孔孔径小、数量多导致加工十分困难。英国专利BP1208027介绍了料膜除疤的方法,该方法所加的载气量相当大,相应的损失也较大,有可能引起熄火,使生产中断,或者使四氯化钛与氧气的初始温度降低,影响产品质量,或者是能耗加大,增加成本。
国内也有一些针对氧化反应器除疤的专利,例如专利CN00243616.7利用人造钛白疤料从炉头喷枪喷入,减弱四氯化钛喷口处附近的结疤,但是该方案疤料的喷入量大,易引起过度的热损失,降低物料混合温度,影响产品质量。公开号为CN101279763的专利申请公开了一种氧化法钛白氧化反应器,其包括了夹层式的气幕装置,夹层圆管的内壁上开有一组与内管壁面相切的氯气通道,使进入的氯气形成旋转的气幕,以防止炉内结疤。但是,夹层中只有两个切向小孔,氯气进入反应区后动量较大,容易影响到混合流体的稳定性,进而影响产品质量。而在氧化反应器中,氧气与四氯化钛混合反应区域壁面处,即四氯化钛进气环后,是最容易首先形成结疤并长大的位置,气幕区距四氯化钛进气环较远,该区域将直接影响反应器的防疤效果。另外,均压室的存在虽然将进入主管道的氯气均匀分布,但由于切向气幕小孔孔径小,数量少,氯气分布均匀与否并不会从根本上影响到氯气在管道内的防疤作用;同时,导流环还增加了反应器的加工和安装难度。
发明内容
本发明提供一种氯化钛白氧化反应器防结疤装置,解决现有的氯化钛白氧化反应器通过气幕以防止炉内结疤的方案中,形成气幕的喷口布置不合理,影响到氯气在管道内防疤作用的问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:氯化钛白氧化反应器防结疤装置,包括管式炉,管式炉的一端为连接法兰,管式炉靠近连接法兰处设置气幕室,气幕室的外壁上设置气体入口,气幕室的内壁为管式炉炉壁,气幕室的内壁上设置连通至管式炉内部的气幕孔,多个气幕孔绕炉壁一圈成为一组,气幕孔至少两组;气幕孔由第一类孔和第二类孔在管式炉轴向上间隔布置,其中第一类孔的开孔方向垂直于管式炉炉壁,第二类孔的开孔方向与管式炉炉身径向方向相切。
进一步的是:所述第一类孔和第二类孔在管式炉炉壁上错位排列,第一类孔和第二类孔径向角度相差20~40度。
具体地,同组气幕孔中第一类孔和第二类孔的数量均为八个,且第一类孔和第二类孔径向角度相差22.5度。
具体地,最靠近连接法兰的一组气幕孔与连接法兰的距离小于50mm。
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