[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法在审
| 申请号: | 201711033711.9 | 申请日: | 2017-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN108023027A | 公开(公告)日: | 2018-05-11 |
| 发明(设计)人: | 吴载映;孙石宇 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 康建峰;江河清 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
提供了有机发光显示装置及其制造方法。有机发光显示装置包括:在基板上的发光元件;以及在发光元件上的封装单元,封装单元包括多个无机封装层以及在无机封装层之间的至少一个有机封装层,无机封装层中的至少一个包括多个无机绝缘层和在无机绝缘层之间的至少一个元件封装层,至少一个元件封装层包含疏水性元素和惰性元素中的至少一个。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年10月31日提交的韩国申请第10-2016-0143975号的优先权,其整体通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
薄膜晶体管(TFT)被用作平板显示器的开关元件和/或驱动元件。根据用于有源层的材料,薄膜晶体管分为使用非晶硅的薄膜晶体管、使用多晶硅的薄膜晶体管和使用氧化物半导体的薄膜晶体管。其中,使用氧化物半导体的薄膜晶体管与使用非晶硅的薄膜晶体管相比具有高迁移率,并且与使用非晶硅的薄膜晶体管和使用多晶硅的薄膜晶体管相比具有低得多的漏电流和优异的可靠性。此外,使用氧化物半导体的薄膜晶体管具有确保与使用多晶硅的薄膜晶体管相比更均匀的阈值电压(Vth)分布的优点。
使用氧化物半导体的薄膜晶体管上形成有多个无机膜。当通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成无机膜时,无机膜中的氢含量为约15%至30%。当存在于无机膜中的氢扩散到薄膜晶体管的有源层中时,扩散的氢与存在于氧化物半导体中的氧反应,从而改变薄膜晶体管的特性(例如阈值电压),并且不利地导致薄膜晶体管的可靠性劣化。
发明内容
因此,本公开涉及基本上消除了由于相关技术的限制和缺点导致的一个或更多个问题的有机发光显示装置及其制造方法。
在一个方面中,本公开的实施例可提供有机发光显示装置以减少或防止薄膜晶体管的劣化,从而提高可靠性,以及制造有机发光显示装置的方法。
另外的特征和方面将在下面的说明书中进行阐述,而这些另外的特征和方面的一部分则由说明书而显见或者可通过实践本文所提供的发明构思而得知。发明构思的其他特征和方面可通过说明书给出的、或可由其推论的和权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和获得。
为了实现发明构思的这些和其他方面,如所体现和广义描述的,提供了有机发光显示装置,其包括:在基板上的发光元件;以及在发光元件上的封装单元,封装单元包括多个无机封装层以及在无机封装层之间的至少一个有机封装层,无机封装层中的至少一个包括多个无机绝缘层和在无机绝缘层之间的至少一个元件封装层,至少一个元件封装层包含疏水性元素和惰性元素中的至少一个。
在另一方面中,提供了制造有机发光显示装置的方法,其包括:在基板上提供发光元件;以及在发光元件上提供封装单元,提供封装单元包括:提供多个无机封装层,以及在无机封装层之间提供至少一个有机封装层,提供无机封装层中的至少一个包括提供多个无机绝缘层,和在无机绝缘层之间提供至少一个元件封装层,提供至少一个元件封装层包括提供疏水性元素和惰性元素中的至少一个。
在审视以下附图及详细描述之后,本发明的其他系统、方法、特征及优点将对本领域技术人员变得显见。目的在于所有这些附加系统、方法、特征和优点被包括在本说明书内、在本公开的范围内,并且得到所附权利要求的保护。在这部分中没有应被认为限制那些权利要求的内容。下面结合本公开的实施例来讨论进一步的方面和优点。应理解,本公开的前述一般性描述和以下详细描述均为示例和说明性的,并且旨在提供对所要求保护的本公开的进一步说明。
附图说明
附图示出了本公开的实施方式并且与说明书一起用于说明本公开的各种原理,附图被包括以提供对本公开的进一步理解并且被并入在该说明书中且构成该说明书的一部分。
图1示出了根据本公开的实施例的有机发光显示装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





