[发明专利]固态成像装置和电子设备

权利要求书

1.一种光检测装置，包括：

第一部分，包括像素单元和第一配线层；

第二部分，包括第二配线层和放大晶体管，

其中，像素单元包括第一光电二极管、第二光电二极管、第三光电二极管、第四光电二极管、浮置扩散部、第一转移栅极、第二转移栅极、第三转移栅极和第四转移栅极，

其中，第一光电二极管、第二光电二极管、第三光电二极管和第四光电二极管电连接至浮置扩散部，

其中，在平面设置中，所述浮置扩散部设置在所述像素单元的中心部分并且被所述第一光电二极管、所述第二光电二极管、所述第三光电二极管和所述第四光电二极管包围，

其中，浮置扩散部电连接到放大晶体管，并且

其中，在所述平面设置中，所述浮置扩散部与所述第一光电二极管的拐角中最靠近所述像素单元的所述中心部分的拐角的区域、所述第二光电二极管的拐角中最靠近所述像素单元的所述中心部分的拐角的区域、所述第三光电二极管的拐角中最靠近所述像素单元的所述中心部分的拐角的区域，以及所述第四光电二极管的拐角中最靠近所述像素单元的所述中心部分的拐角的区域重叠。

2.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，元件隔离单元布置在所述第一光电二极管、所述第二光电二极管、所述第三光电二极管和所述第四光电二极管的至少一部分之间。

3.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述浮置扩散部的第一区域设置在所述第一光电二极管的第一拐角，所述浮置扩散部的第二区域设置在所述第二光电二极管的第一拐角，所述浮置扩散部的第三区域设置在第三光电二极管的第一拐角，所述浮置扩散部的第四区域设置在第四光电二极管的第一拐角。

4.根据权利要求3所述的光检测装置，其中，所述浮置扩散部的第一区域、所述浮置扩散部的第二区域、所述浮置扩散部的第三区域以及所述浮置扩散部的第四区域被元件隔离单元隔离。

5.根据权利要求3所述的光检测装置，其中，所述浮置扩散部的第一区域、所述浮置扩散部的第二区域、所述浮置扩散部的第三区域以及所述浮置扩散部的第四区域由插塞形成。

6.根据权利要求3所述的光检测装置，其中，所述浮置扩散部的第五区域由配线形成。

7.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述第一转移栅极设置在所述第一光电二极管的第一拐角，所述第二转移栅极设置在所述第二光电二极管的第一拐角，所述第三转移栅极设置在所述第三光电二极管的第一拐角，并且第四转移栅极设置在第四光电二极管的第一拐角。

8.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述浮置扩散部被所述第一转移栅极、所述第二转移栅极、所述第三转移栅极和所述第四转移栅极包围。

9.根据权利要求3所述的光检测装置，还包括：

第一阱设置在第一光电二极管的第二拐角处；

第二阱设置在第二光电二极管的第二拐角处；

第三阱设置在第三光电二极管的第二拐角处；

第四阱设置在第四光电二极管的第二拐角。

10.根据权利要求9所述的光检测装置，其中，所述第一光电二极管的所述第一拐角是与所述第一光电二极管的所述第二拐角的对角。

11.根据权利要求1所述的光检测装置，还包括：

阱设置在第一光电二极管中，并且其中阱电连接到接地端。

12.根据权利要求2所述的光检测装置，其中，所述第一光电二极管、第二光电二极管、第三光电二极管和第四光电二极管由所述元件隔离单元隔离。

13.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，所述第一转移栅极电连接至第一转移栅极配线，所述第二转移栅极电连接至第二转移栅极配线，所述第三转移栅极电连接至第三转移栅极配线，并且第四转移栅极电连接到第四传输栅极配线。