[发明专利]有机发光显示装置及制造有机发光显示装置的方法有效
| 申请号: | 201711032955.5 | 申请日: | 2017-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN108022952B | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
| 发明(设计)人: | 方炯锡;尹锺根;李敬勋;柳东熙 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杜诚;李彦丽 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
多个第一电极;
第一像素限定层,其被配置成划分所述多个第一电极;
在所述第一像素限定层上的第二像素限定层;
在所述多个第一电极中的至少一个第一电极上的有机发光层;以及
在所述有机发光层上的第二电极,
其中,所述第二像素限定层的宽度比所述第一像素限定层的宽度宽,
其中,所述至少一个第一电极:
在所述第二像素限定层上;并且
在所述第一像素限定层与所述第二像素限定层之间的边界上断开连接。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,还包括在所述第二像素限定层上的光吸收层。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第二像素限定层包括被配置成吸收光的材料。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,还包括在所述多个第一电极中的所述至少一个第一电极下面的反射电极。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置,还包括辅助电极,
其中,所述辅助电极的一部分被所述第一像素限定层覆盖,以及
所述反射电极和所述第一电极在所述辅助电极上而不被所述第一像素限定层覆盖。
6.根据权利要求4所述的有机发光显示装置,其中,所述反射电极在所述第二像素限定层上。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,
所述有机发光层包括:
两个或更多个堆叠部;和
所述两个或更多个堆叠部之间的电荷产生层;并且
所述电荷产生层的高度低于所述第一像素限定层的高度。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,还包括:
在所述第二电极上的封装层;
在所述封装层上的多个滤色器;以及
在相邻滤色器之间的低折射率介质层,所述低折射率介质层的折射率低于所述多个滤色器中的每个滤色器的相应的折射率。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置,其中,所述低折射率介质层与所述第一像素限定层交叠。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,还包括:
在基板上的薄膜晶体管TFT;
在所述TFT上的第一平面化层;
接触孔,其穿过所述第一平面化层并且被配置成使所述TFT的源电极或漏电极露出;
在所述第一平面化层上的辅助电极,所述辅助电极通过所述接触孔连接至所述TFT的源电极或漏电极;以及
填充所述接触孔的第二平面化层,
其中,所述第一电极在所述第二平面化层和所述辅助电极上。
11.根据权利要求4所述的有机发光显示装置,还包括:
在基板上的薄膜晶体管TFT;
在所述TFT上的平面化层;以及
接触孔,其穿过所述平面化层并且被配置成使所述TFT的源电极或漏电极露出,
其中,所述反射电极通过所述接触孔连接至所述TFT的源电极或漏电极,并且
其中,所述第一像素限定层在所述接触孔中。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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