[发明专利]含噻蒽五元稠环单元衍生物及其合成方法与应用

权利要求书

1.含噻蒽五元稠环单元衍生物，其特征在于，所述衍生物的化学结构式为以下一种：

式中，X为C(R₁)₂、Si(R₁)₂、O、S、SO₂或CO₂；

其中，R₁为C1～C30的烷基链、C3～C30的环烷基、C6～C60的芳香族烃基或C3～C60的芳香族杂环基；

Ar₁和Ar₂为氢、卤素、C6～C60的芳香族烃基、C3～C60的芳香族杂环基中的一种,所述卤素为Cl、Br、I。

2.根据权利要求1所述的衍生物，其特征在于，所述的Ar₁和Ar₂的结构为以下结构中的一种：

式中，R₂为C1～C30的烷基或环烷基、C6～C30的烷基或烷氧基取代苯基。

3.制备权利要求1-2任一项所述的衍生物的合成方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)卤素取代三元稠环衍生物与苯二硫酚衍生物，其物质的量之比为1：0.8-1.2，在碱性和钯催化剂条件下偶联，反应温度为60-100℃，再与卤代烃，中间产物与卤代烃的物质的量的比例为1：1-5，反应制备出含硫醚的产物，反应温度为60-100℃，再用氧化剂，含硫醚的产物与氧化剂的物质的量的比例为1：0.8-1.5，进行单氧化，反应温度0-100℃，得到关环前驱体；

(2)步骤(1)得到的前驱体在强酸和脱水剂，其中前驱体与强酸与脱水机的物质的量比例为1:2-5:5-10，常温下反应后，再在吡啶中回流，关环得到所述含噻蒽五元稠环单元衍生物。

4.根据权利要求3所述的合成方法，其特征在于，所述Ar₁和/或Ar₂为卤族元素时，通过卤代反应，卤族元素被取代，C6～C60的芳香族烃基或C3～C60的芳香族杂环基取代原Ar₁和/或Ar₂位上的卤族元素。

5.根据权利要求3所述的合成方法，其特征在于，步骤(1)所述的钯催化剂是三(二亚苄基丙酮)二钯。

6.根据权利要求3所述的合成方法，其特征在于，步骤(2)所述的强酸是硫酸、三氟乙酸、三氟甲磺酸中的至少一种，脱水剂是五氧化二磷和/或氧化钙。

7.权利要求1～2任一项所述的含噻蒽五元稠环单元衍生物在制备有机发光二极管发光层中的应用，其特征在于，将所述含噻蒽五元稠环单元衍生物通过真空蒸镀方法成膜，得到所述有机发光二极管发光层。

8.权利要求1～2任一项所述的含噻蒽五元稠环单元衍生物在制备有机发光二极管发光层中的应用，其特征在于，将所述含噻蒽五元稠环单元衍生物用有机溶剂溶解，通过旋涂、喷墨打印或印刷成膜，得到所述有机发光二极管的发光层。

9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所述有机溶剂是二甲苯、氯苯或甲基四氢呋喃。